Чтобы отвлечь внимание от разговоров о поиске стратегического партнера для производства чипов, компания Intel на этой неделе объявила об успешном использовании самых современных литографических систем от ASML для малосерийного выпуска чипов. С применением технологии High-NA EUV за один квартал компания смогла обработать 30 000 пластин кремния.

В прошлом году Intel получила от ASML оборудование для литографии с высокой числовой апертурой (High-NA EUV). Внедрены две системы (вероятно, это модели TwinScan EXE:5000), которые уже настроены для производства пробной продукции в больших объемах. Представители Intel заявляют, что новые устройства позволили сократить число технологических шагов при изготовлении современных чипов, что ускорило производственный процесс. Компания готовилась к внедрению этой технологии семь лет.

На начальных этапах тестирования системы High-NA EUV возникали проблемы с надежностью, однако, по словам главного инженера Intel Стива Карсона, их надежность в два раза выше по сравнению с предыдущими моделями. Переход на новую технологию значительно сократил производственный цикл. Например, если раньше на обработку одной кремниевой пластины требовалось три экспозиции и 40 операций, то теперь число операций сократилось до менее десяти, и требуется всего одна экспозиция.

Хотя Intel использовала High-NA EUV в экспериментальных проектах для подготовки чипов по технологии Intel 18A, в массовом производстве её внедрять пока не планируют. Планируется, что система будет применена для выпуска чипов по технологии Intel 14A в следующем году. Для этого будет использовано еще более продвинутое оборудование ASML серии TwinScan EXE:5200, которое Intel ожидает получить в ближайшие месяцы. Тем временем, по прогнозам экспертов, конкурирующая TSMC планирует начать внедрение High-NA EUV не раньше 2028 года.