Особенности сборки памяти HBM делают её производство значительно более сложным, нежели в случае с традиционными модулями DRAM. Чипы HBM основаны на модулях DRAM, которые располагаются слоями. Они соединяются при помощи сквозных кремниевых переходов (TSV), которые одновременно связывают стек с базовым кристаллом для обмена данными с компьютерной системой.

При производстве памяти HBM4 ведущие производители применяют технологию гибридного соединения. Здесь убраны контактные выступы над каждым слоем DRAM и вместо них применяется специальный заполняющий материал. Без контактных выступов технологический процесс усложняется и возникает необходимость в исключительно гладких поверхностях без малейших загрязнений.

Изображение: Gemini

Источники в отрасли сообщают, что у китайского производителя CXMT возникли трудности с TSV, в результате чего уровень выпуска годных 8-слойных чипов HBM3 составляет не более 25–30%. Даже среди этих чипов не более 70% проходят дополнительные проверки и допускаются в конечные продукты. Для сравнения, на рынке полупроводников компании стремятся добиться уровня в 80% годных чипов, чтобы запустить массовое производство.

CXMT пытается снизить технологическую сложность. Если в памяти HBM2 компании Samsung используется свыше 5000 сквозных межсоединений, а в HBM3 от SK hynix их более 8000, то у CXMT количество межсоединений составляет около 3000. О сложности этого процесса говорит заявление SK hynix, согласно которому в 2024 году уровень выпуска годной продукции по её автономному процессу TSV составлял 40–60%.