Компания Samsung поделилась новой дорожной картой полупроводникового производства от существующей 3-нм технологии через 2-нм к массовому производству полупроводников 1,4-нм. По словам южнокорейского технологического гиганта, эти важные шаги будут предприняты в течение следующих пяти лет.

Летом Samsung запустила массовое производство 3-нанометровых чипов на своих новейших заводах, что стало впечатляющим событием для полупроводниковой промышленности. Конкуренты TSMC должны скоро наверстать упущенное, но мы еще не слышали о начале массового производства N3.

Переход на транзисторную технологию Gate-all-round (GAA) - еще одно преимущество, которым Samsung теперь пользуется как первопроходец. Считалось, что этот шаг мог задержать переход от 5-нм к 3-нм массовому производству, но инженеры Samsung сумели преодолеть это техническое препятствие. TSMC, Intel и другим компаниям еще предстоит проделать работу, чтобы отказаться от транзисторов FinFET, но им нужно будет использовать GAA для повышения мощности и производительности.

Как и у TSMC, у Samsung широкий круг клиентов, что помогает ей сохранять уверенность в условиях потребительского спада. Тем не менее, полупроводниковые заводы по-прежнему получают выгоду от высокого спроса в таких сегментах, как высокопроизводительные вычисления (HPC), искусственный интеллект (ИИ), связь 5/6G и автомобилестроение.

Разумно опасаясь спадов, с которыми сталкиваются другие отрасли ее бизнеса, Samsung обсудила оперативный план по подготовке новых производственных мощностей "в первую очередь". В нем говорится, что к 2027 году он более чем утроит мощность своих передовых производственных узлов, но продолжит предварительную подготовку дополнительных мощностей в виде пустых помещений, готовых к скачкам спроса при минимизации спекулятивных инвестиций. Подготовка начнется на территории нового полупроводникового завода стоимостью 18 миллиардов долларов в Тейлоре, штат Техас.