Южнокорейские производители микросхем Samsung Electronics и SK Hynix модернизируют свои предприятия в Китае, чтобы выпускать более современные чипы флеш-памяти NAND. Компании стремятся удовлетворить растущий спрос со стороны индустрии искусственного интеллекта (ИИ) и сдержать конкуренцию китайского производителя YMTC. Об этом сообщает Reuters.
Источник изображения: Reuters
URL изображенияSamsung переоборудует завод в Сиане, на который приходится около 40% мирового производства NAND компании. В рамках проекта под внутренним названием Monami предприятие должно перейти от выпуска чипов с примерно 200 слоями к более продвинутой технологии V9 NAND с 286 слоями. По данным источников Reuters, Samsung рассчитывает производить 5 тысяч кремниевых пластин в месяц к декабрю 2026 года, а к декабрю 2027-го увеличить объём до 40 тысяч.
SK Hynix планирует модернизировать производство в Даляне на северо-востоке Китая. Сейчас предприятие выпускает NAND-память со 192 слоями, а компания намерена перейти к продукции с 240 слоями и более. Завод достался SK Hynix в результате приобретения NAND-бизнеса Intel в 2021 году и остаётся единственной площадкой этого направления в Китае. Увеличение числа слоёв позволяет хранить больше данных на одном чипе и потенциально снижать себестоимость хранения.
Для установки определённого оборудования американского производства в Китае Samsung и SK Hynix должны ежегодно получать лицензии США. В 2025 году американское Бюро промышленности и безопасности заявляло, что не намерено одобрять лицензии на технологическую модернизацию и расширение мощностей иностранных производителей на китайских предприятиях. Но, вероятно, южнокорейские компании нашли способ повлиять на позицию Вашингтона.
