Samsung Electronics представила новое поколение памяти для систем искусственного интеллекта (ИИ), рассчитывая укрепить позиции на одном из самых быстрорастущих сегментов мирового рынка полупроводников. На конференции Future of Memory and Storage в американской Санта-Кларе компания анонсировала технологию V10 Bonding V-NAND (BV-NAND), в которой используется более 400 слоёв памяти и новая архитектура соединения пластин (wafer bonding).
Источник изображения: Reuters. URL изображения.
По данным компании, такой подход позволяет увеличить плотность хранения данных на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9, одновременно снижая энергопотребление и повышая эффективность работы накопителей. В Samsung отмечают, что развитие генеративного ИИ меняет требования к инфраструктуре: если раньше основной нагрузкой было обучение моделей, то теперь всё большую роль играют системы, обеспечивающие быстрый доступ к огромным объёмам данных во время выполнения запросов пользователей. Именно поэтому производители памяти стремятся увеличить ёмкость и скорость накопителей без существенного роста энергозатрат.
Помимо новой NAND-памяти компания впервые продемонстрировала концепции архитектур zHBM и zNAND-O, предназначенных для будущих ИИ-ускорителей. Технология zHBM предполагает вертикальное размещение памяти непосредственно над вычислительными чипами, что позволяет значительно увеличить пропускную способность и сократить задержки при обмене данными.
В Samsung заявляют, что новая схема способна обеспечить более чем десятикратное увеличение плотности памяти по сравнению с традиционной HBM5, а также примерно втрое повысить энергоэффективность.
