В конце прошлого года десять бывших сотрудников Samsung попали под следствие за утечку интеллектуальной собственности китайской компании CXMT. Теперь суд вынес первый приговор. 

Изображение: Tom's Hardware

Южнокорейский суд приговорил 56-летнего бывшего сотрудника Samsung виновным в нарушении закона о защите промышленных технологий. По данным Reuters, он похитил более 600 подробных этапов производства DRAM. Утечка помогла CXMT выпустить память HBM2 10-нанометрового класса гораздо раньше ожидаемого срока. В 2022 году китайская компания производила 17-нанометровую DRAM, а уже в 2023-м перешла на 10-нанометровую.

Обвинение заявило, что кража нанесла Южной Корее убытки в триллионы вон. За информацию инженер получил $2 миллиона, а также опционы на акции и другие бонусы. Суд учел низкую зарплату подсудимого в Samsung как смягчающее обстоятельство. Затраты самой Samsung на разработку 10-нанометровой DRAM за пять лет составили около 1,08 миллиарда долларов США.