Южнокорейская компания Samsung достигла нового этапа в развитии полупроводниковых технологий. Инженеры компании завершили основные работы над вторым поколением 2-нанометрового процесса с архитектурой GAA.

Новый техпроцесс SF2P демонстрирует улучшенные характеристики по сравнению с первым поколением. Архитектура GAA второго поколения обеспечивает повышение производительности на 12%, сокращает энергопотребление на 25% и уменьшает площадь кристалла на 8%.

Сейчас Samsung тестирует первую версию технологии на прототипах Exynos 2600. Если испытания пройдут успешно, компания начнёт массовое производство по обновлённому процессу в следующем году. Это открывает перспективы для создания более эффективных чипов Exynos, включая возможную модель 2700.

Отраслевые аналитики отмечают интерес Qualcomm к новой технологии. Часть процессоров Snapdragon 8 Elite Gen 2 для флагманских смартфонов Galaxy S25 может выпускаться на мощностях Samsung. Такое сотрудничество укрепит позиции корейской компании в конкурентной борьбе с TSMC.