Текст опубликован в личном блоге и его автор не имеет отношения к администрации сайта
Китайская контрактная фабрика SMIC смогла добиться шага металлизации, превосходящего показатели техпроцесса Intel 18A, однако по плотности транзисторов ее технология N+3 по-прежнему заметно отстает от ведущих мировых разработок. Об этом сообщили аналитики компании SemiAnalysis по итогам первого исследования, выполненного в новой лаборатории STEEL по разбору и анализу микросхем.
Объектом исследования стал мобильный процессор HiSilicon Kirin 9030, используемый в смартфонах Huawei. По данным SemiAnalysis, чип изготовлен по техпроцессу SMIC N+3 — наиболее продвинутой на сегодняшний день технологии китайского производителя, созданной без применения литографии EUV, доступ к которой для китайских компаний ограничен экспортными санкциями США и их союзников.
Согласно опубликованным результатам, минимальный локальный шаг металлизации (local metal pitch) у SMIC N+3 составляет 32,5 нм. Этот показатель оказался меньше, чем у Intel 18A, что свидетельствует о высокой степени масштабирования отдельных элементов межсоединений. Однако более широкий анализ показал, что преимущество по одному параметру не означает превосходства технологии в целом.
Для оценки уровня техпроцесса SemiAnalysis использовала метрику Bohr, основанную на плотности логических элементов. По этому показателю SMIC N+3 уступает Intel 18A примерно на 38%. Аналитики отмечают, что высокая плотность современных техпроцессов определяется не только шагом металлизации, но и совокупностью характеристик транзисторов, межсоединений и архитектурных решений.
Исследование также показало, что достижения SMIC стали возможны благодаря сложным методам многократного формирования рисунка при использовании оборудования глубокого ультрафиолета (DUV). Такой подход позволяет продолжать уменьшение размеров элементов без EUV-литографии, однако сопровождается увеличением производственной сложности и потенциальными рисками для выхода годных кристаллов.
Ранее компания TechInsights также подтверждала, что Kirin 9030 производится по техпроцессу N+3 и представляет собой дальнейшее развитие 7-нм семейства технологий SMIC. Несмотря на заметный прогресс китайской отрасли, исследователи отмечали, что N+3 остается менее масштабированным решением по сравнению с современными 5-нм техпроцессами лидеров рынка — TSMC и Samsung.
Публикация результатов разборки Kirin 9030 стала одним из наиболее подробных независимых исследований возможностей китайской микроэлектроники после введения ограничений на поставки передового оборудования и технологий в КНР.