Компания Micron анонсировала выпуск новых DDR5, созданных по новой производственной технологии 1γ (1-гамма), которая включает использование EUV-литографии (extreme ultraviolet lithography), что стало первым случаем для Micron. Новые микросхемы обладают повышенной производительностью по сравнению с предыдущими моделями, меньшим энергопотреблением и, как ожидается, будут дешевле в производстве. Micron также сообщила, что технология 1Y (10-нанометровый узел шестого поколения) впоследствии будет использоваться для выпуска других продуктов DRAM.
Флагманским продуктом нового производственного процесса 1Y стала 16-гигабитная (2 ГБ) микросхема DDR5, способная передавать данные со скоростью 9200 МТ/с при стандартном напряжении 1,1 В. Эта микросхема потребляет на 20% меньше энергии и обладает на 30% большей плотностью по сравнению с предыдущей моделью 16-гигабитной DDR5, произведенной по технологии 1β.
Micron заявляет, что её новейшая 16-гигабитная DDR5 работает на частоте 9200 МТ/с, что превышает стандарты последних спецификаций DDR5. Однако, несмотря на это, компания уверена, что эти микросхемы соответствуют требованиям JEDEC и обеспечивают дополнительную надёжность и совместимость с будущими поколениями процессоров. Более высокая частота позволит использовать память в модулях CUDIMM или на основе CXL, а также в высокопроизводительных DIMM-модулях для энтузиастов.
На данный момент Micron тестирует свои 16-гигабитные микросхемы DDR5 и основанные на них продукты с производителями ноутбуков и серверов. Завершение квалификационных испытаний планируется через один-два квартала, что подразумевает появление новых устройств памяти в розничной продаже уже в середине 2025 года. Ожидается, что новые чипы найдут применение в различных сегментах рынка, включая настольные компьютеры, ноутбуки и серверы.
Новая производственная технология 1Y от Micron стала первой, использующей EUV-литографию и хотя другие крупные производители давно применяют эту технологию. Процесс 1Y от Micron сочетает EUV с многошаблонными методами DUV. Micron пока не раскрыла количество используемых EUV-слоев. Кроме того, в процессе 1Y используется новая технология металлических затворов high-K и усовершенствованная схема BEOL (структура металлизации).