Обзор и тестирование SSD-накопителя Samsung 650 объемом 120 Гбайт

Оглавление

• Вступление
• Статус модели
• Обзор Samsung 650 120 Гбайт (MZ-650120)
• Стабильность скоростных характеристик
• Тестовый стенд и ПО
• Тестирование производительности
• Anvil's Storage Utilities
• Futuremark PCMark 7
• AS SSD Benchmark
• CrystalDiskMark (64bit) 3.0.1
• Intel NAS Performance Toolkit 1.7.1
• Операции с различными типами файлов внутри накопителя
• Время доступа при операциях случайного чтения и записи
• Уровень энергопотребления накопителей
• Заключение

Вступление

Прошлый год ознаменовался тем, что сбылись надежды производителей SSD: они наконец смогли освоить выпуск моделей TLC NAND, догнав тем самым нынешнего лидера рынка – компанию Samsung, которая еще несколько лет назад смогла решить эту задачу.

К сожалению, новинки показали себя небыстрыми решениями. Единственным и ощутимым плюсом их стало только одно – цена. Причем ценовая планка оказалась в итоге заметно ниже, и Samsung волей-неволей была вынуждена реагировать и предпринимать ответные шаги.

В качестве таковых было принято решение не снижать цену на существующее семейство Samsung 850 Evo, а выпустить новое – Samsung 650. Благодаря нашему постоянному партнеру – компании Регард, один из представителей данной линейки и стал героем обзора.

Статус модели

Страница на сайте производителя: Samsung 650 120 Гбайт (MZ-650120) .

Цены (на момент публикации):

• 4080 рублей в московской рознице;
• $54.99 на Amazon;
• $78.99 на Newegg;
• На ComputerUniverse отсутствует.

Обзор Samsung 650 120 Гбайт (MZ-650120)

По сути 650-я серия (которая, кстати, состоит лишь из одной модели объемом 128 Гбайт) – решение, на которое Samsung вынудили пойти другие производители накопителей на флеш-памяти. Как мы помним из материала, подводившего итоги 2015 года, число «2015» стало датой появления на рынке моделей, основанных на памяти TLC NAND. До того момента подобное предложение присутствовало только в ассортименте Samsung в виде Samsung 840, 840 Evo и 850 Evo, а также SanDisk (линейка SanDisk Ultra II).

Теперь же стали доступны накопители на контроллерах Phison PS3110-S10 и Silicon Motion SM2256K. Сопутствовала им TLC NAND производства Toshiba (19 нм техпроцесс второго поколения) и SK Hynix (16 нм техпроцесс), а сам старт продаж был очень бодрый: за довольно короткий срок на рынок было выведено множество моделей SSD. Причем так сложилось, что безусловным лидером оказалась связка Phison PS3110-S10 и 19 нм TLC NAND Toshiba, которую мы протестировали в составе OCZ Trion 100, Kingston UV300, Patriot Blast и SmartBuy Revival. Помимо них на рынке есть еще около десятка моделей: Apacer Thunderbird AST680S, GoodRAM CX100, Nexport NX, Silicon Power (с традиционной мешаниной, о чем речь шла в рамках недавнего обзора), Team L3 Evo, Toshiba Q300 и прочие.

А вот на контроллере Silicon Motion SM2256K можно было приобрести только один-единственный SSD – ADATA Premier SP550. Лишь совсем недавно Micron выпустила Crucial BX200 (один образец которого лежит в ожидании тестирования, соответствующий обзор мы скоро опубликуем). И буквально в прошлом месяце накопители на SM2256K начали в массовом порядке всплывать на китайских торговых площадках вроде AliExpress, где они стали вытеснять предыдущее поколение на SM2246XT (помните GK K3?). Судя по всему, общение с производителями SSD у Silicon Motion снова не заладилось, и в итоге компания пошла путем распространения своих наработок через рынок «noname»-изделий. Даже цены оказались неожиданно интересными: циферки на ценниках на 240 Гбайт, например, в иной момент времени доходили до 20%-й разницы с PS3110-S10.

Технически и сама SK Hynix выпускает серию SL300, но неизвестно, какой именно контроллер там применяется. Если инженеры компании смогли приспособить для своих нужд разработки LAMD, то это еще один вариант платформы «TLC не от Samsung» – четвертый по счету.

Вот на эту пеструю и одновременно скучную (с аппаратной точки зрения) «компанию» Samsung и нужно было ответить. Однако производитель не стал просто снижать ценники на Samsung 850 Evo из-за того, что такое решение неверно: слишком велика разница в быстродействии 850 Evo и когорты PS3110-S10/SM2256K. А кроме того, всплывет большой ценовой разрыв между Samsung 850 Evo и Samsung 850 Pro – без «прикрытия» окажется очень широкий по объемам класс средних решений на MLC NAND, с которыми Samsung 850 Evo конкурирует сейчас. В итоге потери в объемах продаж могут оказаться ощутимыми, не оправдав «сдвиг вниз». Поэтому более логичным является запуск изначально бюджетной серии накопителей, которую можно дополнительно удешевить и с аппаратной точки зрения, благо у Samsung есть соответствующий контроллер с кодовым именем «Samsung MFX».

А теперь обратим внимание на Samsung 650. Это как раз тот самый случай, про который говорят «тихой сапой»: накопитель появился в продаже тихо и незаметно – без звучных рекламных кампаний, громких мероприятий и раздач образцов для обзоров в прессе. Изначально при его выпуске в качестве целевой аудитории указывался OEM-рынок (сборщики готовых ПК), но в итоге новинка проникла и в обычную розницу.

Что самое интересное: официально представлена только одна модификация объемом 120 Гбайт и на сайте Samsung она отнесена к серии Samsung 850 Evo.

Пользователю предлагается до 540 Мбайт/с на линейном чтении и до 450 Мбайт/с на линейной записи – здесь значения вполне приличные. А вот с операциями случайного чтения и записи все хуже: лишь 5-9 тысяч IOPS.

И эти цифры выдают с головой сущность Samsung 650: бюджетное решение начального уровня. Что интересно, в характеристиках не упоминается еще одна тонкость (но ее можно найти в тексте-описании на сайте Samsung): наличие технологии TurboWrite. Именно она обуславливает те «стандартные» цифры на линейных чтении и записи, которые упомянуты выше.

Сам Samsung 650 лишен какой-либо полноценной розничной упаковки и к потребителю попадает, будучи помещенным в простой антистатический пакет, чем принципиально отличается от других розничных моделей твердотельных накопителей Samsung.

В комплект поставки входит листовка со справочной информацией и маленькая, изрядно помятая, этикетка, которую производитель рекомендует самостоятельно наклеить на корпус накопителя. И все это – отпечатано на обычном лазерном принтере.

Привет 1990-м с их первыми полуофициальными поставками импортных товаров! Хорошо хоть гарантийный буклет полноценный.

В остальном перед нами типичный корпус из алюминиевого сплава, выполненный в форм-факторе 2.5" 7 мм и оснащенный интерфейсом SATA 6 Гбит/с.

Внутри скрывается очень компактная печатная плата, по размерам втрое меньше внутреннего объема, которая несет лишь две микросхемы (не считая контроллера питания с обратной стороны платы).

Микросхема Samsung K90KGY8S7C содержит восемь 32-слойных кристаллов TLC 3D V-NAND, изготовленных по 40 нм техпроцессу и объемом 128 Гбит каждый. Именно такая память используется в накопителях серии Samsung 850 Evo.

Полный реальный объем накопителя составляет 128 Гбайт, из которых пользователю доступны лишь 120, да и то здесь используется традиционная десятичная система счисления (1 Гбайт равен 1 000 000 000, а не 1 073 741 824 байт), поэтому в реальности доступный объем составляет только 111.79 Гбайт. Получившаяся в результате этого разница в 16.21 Гбайт выделена в недоступную пользователю скрытую область, которая используется для алгоритмов выравнивания износа и повышения быстродействия, а также в качестве подменного фонда для вышедших из строя в результате износа ячеек.

Но насколько схож Samsung 650 с Samsung 850 Evo в плане используемой флеш-памяти, настолько отличен он контроллером. Samsung MFX, хоть и базируется на Samsung MGX, но являет собой значительно упрощенный его вариант: разработчиками оставлена лишь половина каналов памяти (четыре), нет буферной памяти DRAM, обыкновенно используемой контроллером для кэширования таблиц ретранслятора, также полностью отключена поддержка каких-либо алгоритмов шифрования данных.

Модели Samsung 650 снабжаются трехлетней гарантией, а заявленный ресурс при этом составляет 75 Тбайт записанных данных. Для сравнения, Samsung 850 Pro – десять лет и 150 Тбайт (для модификации объемом 128 Гбайт), а Samsung 850 Evo – пять лет и 75 Тбайт (для модификации объемом 120 Гбайт).

Попутно следует отметить еще один интересный факт: Samsung 650 с аппаратной точки зрения полностью повторяет протестированный нами в прошлом году Samsung CM871 128 Гбайт. Хотя в программной части отличия есть как минимум в плане объема (120 и 128 Гбайт) и заявленных показателей производительности (у CM871 указываются линейные скорости 513 Мбайт/с на чтении и 136 Мбайт/с на записи, а уровень производительности на операциях случайного чтения и записи – 23 000 и 6 300 IOPS).

Но, в отличие от Samsung CM871, рассматриваемый Samsung 650 получил полную поддержку со стороны фирменного программного пакета Samsung Magician, и обладателю этого накопителя доступно все, вплоть до включения режима кэширования операций записи в оперативной памяти компьютера Samsung Rapid Mode.

Интересно, что отсутствует уже ставшая привычной возможность проверки серийного номера на «валидность» (действительно ли перед нами устройство, произведенное Samsung, или же это подделка). То ли соответствующая возможность была убрана полностью, то ли она недоступна именно для Samsung 650 (нет в наличии другого SSD Samsung для проверки этого).

В остальном все стандартно для Samsung Magician: отображается оценка общего состояния, износ и параметры SMART, есть встроенный тест производительности, ручная отправка команды TRIM на весь свободный объем памяти, обновление микропрограммы с серверов Samsung, выделение дополнительного объема под резерв контроллера (Over Provisioning), полный сброс накопителя к заводскому состоянию с помощью подачи команды Secure Erase (в том числе можно создать загрузочный накопитель специально для этой цели).

Предусмотрена справочная система, грамотно переведенная на русский язык.

В довершение – скриншот популярного приложения Crystal Disk Info:

Счетчик записи NAND трактуется программой неправильно: значение вдвое ниже реального.