Обзор и тестирование комплекта оперативной памяти DDR4-3000 G.Skill Ripjaws 4 F4-3000C15Q-16GRR (страница 2)

Тест G.Skill Ripjaws 4 F4-3000C15Q-16GRR

Тестовый стенд

Тестирование комплекта памяти G.Skill Ripjaws 4 F4-3000C15Q-16GRR проводилось в составе следующей конфигурации:

• Материнская плата: ASUS Sabertooth X99;
• Процессор: Intel Core-i7-5930K;
• Система охлаждения: СЖО на базе водоблока Watercool Heatkiller 3.0 и циркуляционного насоса Lowara TLC 25-7L;
• Термоинтерфейс: Prolimatech PK-1;
• Жесткий диск: Western Digital Caviar Blue (WD500AAKS), 500 Гбайт;
• Блок питания: Corsair CMPSU-750HX, 750 Ватт;
• Корпус: открытый стенд.

Операционная система:

• Windows 7 Ultimate SP1 x64.

Изучение разгона модулей памяти

В данной части статьи мы ознакомимся с поведением модулей памяти при разгоне. Для проверки были выбраны режимы работы CL12, CL13, CL14 и CL15. Напряжение питания памяти во время тестов выставлялось в диапазоне 1.2-1.35 В с шагом 0.05 В, при этом надо отметить, что стендовая материнская плата ASUS Sabertooth X99 отличается склонностью к завышению напряжения питания на 0.03 В, что при сопоставлении результатов на других системных платах стоит учитывать.

В качестве теста на стабильность использовалось десятиминутное прохождение Prime95 28.5 в режиме Blend.

CL12

Начать было решено со сравнительно агрессивных для памяти DDR4 таймингов, а именно с 12-12-12-35.

Несмотря на то, что шаг изменения напряжения взят довольно малый, память на его изменение реагирует вполне бодро, особенно в диапазоне 1.2-1.3 В, а вот при превышении отметки 1.3 В частоты растут уже не так сильно. Судя по первым результатам, высоких напряжений данный комплект памяти не любит или не требует.

После того, как были получены результаты при «ровных» таймингах, было решено попробовать поодиночке понизить каждый из них. Результаты оказались следующими:

• CL 11-12-12-35: система не прошла POST;
• CL 12-11-12-35: система запустилась, но не была стабильна под нагрузкой;
• CL 12-12-11-35: система не прошла POST.

Дальнейшие эксперименты проводились при формуле таймингов 12-11-12-35, стабильности удалось достичь при частоте 2530 МГц (при напряжении 1.35 В). Итого, уменьшение tRCD на единицу снизило частотный потенциал комплекта на 60 МГц.

Последней проверкой была попытка найти минимальное стабильное значение TRAS. Им оказалась отметка 23. Достигнутые результаты: DDR4-2590 12-12-12-23 и DDR4-2530 12-11-12-23.

CL13

С разгоном памяти при CL12 разобрались, пора ослабить тайминги до 13-13-13-35, и повторить эксперимент.

Расслабление таймингов позволило поднять частотный потенциал памяти в среднем на ~200 МГц, независимо от используемого напряжения. Поведение модулей осталось полностью идентичным: есть большой отклик на увеличение напряжения в диапазоне 1.2-1.3 В, в то время как увеличение напряжения до 1.35 В хоть и приносит пользу, но разница в результатах не принципиальна.

Отмечу, что уже при таком сравнительно агрессивном режиме таймингов (задержки -2 от тех, что предлагает производитель) достигнута отметка в 2800 МГц, что является максимальным рабочим коэффициентом умножения на стендовой материнской плате при использовании CPU Strap 100 МГц.

После того, как были получены результаты при «ровных» таймингах, был повторен эксперимент с попыткой выставить еще более агрессивные значения.

• CL 12-13-13-35: система не прошла POST;
• CL 13-12-13-35: система запустилась, но не была стабильна под нагрузкой;
• CL 13-13-11-35: система не прошла POST.

Поведение комплекта памяти осталось тем же, что и при предыдущих экспериментах, из таймингов на попытки снижения отвечает только tRCD. Стабильности удалось достичь при частоте 2730 МГц, то есть потеря от установки tRCD-1 составила 75 МГц.

При попытке максимально снизить TRAS удалось достичь отметки 14 (14, Карл!), что, на мой взгляд, весьма странно. Вероятно, система просто игнорирует выставленное значение. Итого, достигнутые результаты: DDR4-2805 13-13-13-14 и DDR4-2730 13-12-13-14.

CL14

Продолжаем двигаться вверх по частотам, ослабляя тайминги. Пришло время проверить разгон при 14-14-14-35 и повторить эксперимент.

В сравнении с предыдущими режимами поведение комплекта памяти слегка изменилось, улучшился отклик на установленное напряжение питания. И если при 1.2 В прирост разгона оказался хуже, чем при переходе от CL12 к CL13 таймингам, то при 1.35 В ситуация обратная, наибольший прирост частот наблюдается именно при переходе от CL13 к CL14.

В первую очередь стоит отметить, что при своем штатном напряжении комплект памяти смог «осилить» работу при штатной частоте и сниженных на единицу основных таймингах, что уже неплохо. А во вторую – достижение частот свыше 3 ГГц тяжело дается уже процессору – напряжение SA приходится поднимать вплоть до отметок +0.25 В от штатного.

После того, как были получены результаты при «ровных» таймингах, был повторен эксперимент с попыткой выставить еще более агрессивные значения, итого:

• CL 13-14-14-35: система не прошла POST;
• CL 14-13-14-35: система запустилась, но не смогла загрузить Windows;
• CL 14-14-13-35: система не прошла POST.

Напрашивается мысль, что чем выше частота работы памяти, тем труднее становится удерживать значение tRCD в положении -1, ибо если в предыдущих режимах наблюдались просто ошибки при нагрузке (причем на CL13 таймингах ошибки проявлялись раньше), то здесь уже возникла проблема с загрузкой операционной системы. Стабильности удалось достичь лишь на отметке в 2920 МГц.

Повторилось поведение системы при попытке снижения TRAS – система сохранила стабильность при установке TRAS 14. Достигнутые результаты: DDR4-3040 14-14-14-14 и DDR4-2920 14-13-14-14.

CL15

Вот и пришло время проверить потенциал памяти при штатной формуле таймингов 15-15-15-35.

В целом, комплект памяти не изменил своего поведения, а сторонним ограничителем результатов стал контроллер памяти, встроенный в процессор – для достижения частоты 3160 МГц приходится устанавливать напряжение SA на уровень +0.39-0.4 В, а превышение данной отметки материнская плата подсвечивает как уже небезопасные значения. Опираясь на предыдущие результаты, можно предположить, что истинный потенциал комплекта памяти при CL15 таймингах находится у отметки ~3220 МГц или около.

После того, как были получены результаты при «ровных» таймингах, был повторен эксперимент с попыткой выставить еще более агрессивные значения:

• CL 14-15-15-35: система не прошла POST;
• CL 15-14-15-35: система запустилась, но не была стабильна под нагрузкой;
• CL 15-15-14-35: система не прошла POST.

Что ж, для используемого комплекта памяти такое поведение уже вполне можно назвать привычным – он опять позволяет снизить лишь значение tRCD. Причем поскольку потенциал памяти по частоте в итоге ограничен извне, даже не пришлось сильно жертвовать частотами, стабильность была достигнута уже при 3141 МГц.

Повторилось поведение системы при попытке снижения TRAS – система сохранила стабильность при установке TRAS 14. Итого, достигнутые результаты: DDR4-3160 15-15-15-14 1.3 В и DDR4-3141 15-14-15-14 1.35 В.

Скриншот с итоговым результатом разгона:

Приведу итоговый график сравнения различных формул таймингов.

Заключение

Вот и подошло к концу тестирование G.Skill Ripjaws 4 F4-3000C15Q-16GRR. Подводя краткие итоги, отмечу следующие особенности поведения комплекта памяти:

• Каждый шаг изменения таймингов обеспечивает ~200 МГц разницы в разгоне;
• Комплекту памяти свойственны «ровные» формулы задержек, относительно безболезненно удавалось лишь снизить tRCD на единицу;
• Максимальный разгон ограничивается встроенным в процессор контроллером памяти и уровнем его безопасного напряжения;
• Система странно себя ведет в плане доступных значений TRAS, все же 14 – показатели времен стандарта DDR2;
• Что касается используемых напряжений, основной отклик наблюдается в диапазоне 1.2-1.3 В, увеличение напряжения до 1.35 В хоть и позволяет улучшить разгон, но не сильно. При этом с учетом завышения напряжения материнской платой (на 0.03 В) получается, что производитель в качестве штатного значения использует именно тот уровень, превышение которого не даст сильных дивидендов.

Из отдельных преимуществ комплекта памяти G.Skill Ripjaws 4 можно отметить прочную и компактную упаковку.

Камрад TerraRaptor сетует на необходимость обратить внимание на субтайминги, и в частности на значения RTL, а также на возможность микросхем Hynix работать с напряжениями 1.5-1.7 В при таймингах x-(x+2)-(x+3). Но проверка всего этого требует трудозатрат едва ли не больших, чем ушло на данный тест. Возможно, это станет темой отдельного исследования.

На этом, пожалуй, все.

Выражаем благодарность:

• Компании ASUS за предоставленную на тестирование материнскую плату ASUS Sabertooth X99.
• Компании G.Skill и лично Frank Hung за предоставленный для тестового стенда комплект памяти G.Skill Ripjaws 4 F4-3000C15Q-16GRR.
• Камраду TerraRaptor за консультации при опытах.