Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
Новое не за горами.

реклама

До недавнего времени компания Intel не подавала виду, что её интересует магниторезистивная память. Она успешно выводила на всё более высокую орбиту первое поколение памяти с изменяемым фазовым состоянием вещества (3D XPoint) и собиралась переходить к производству второго поколения. В декабре прошлого года стало известно, что Intel достигла заметного прогресса в производстве встраиваемой STT-MRAM (версия MRAM, запись в ячейку которой происходит с помощью переноса спинового момента электрона, что требует меньше силы тока, чем для работы классической MRAM). Тем самым она стала в ряд с компаниями GlobalFoundries, Samsung и ST Micro, которые уже предлагают техпроцессы с выпуском встраиваемых массивов MRAM.

Зачем это нужно? В идеальном случае память MRAM призвана заменить как память NAND в её встраиваемом применении (MRAM выдерживает на несколько порядков циклов стирания больше), так и память DRAM и даже SRAM, поскольку достаточно быстрая и, к тому же, энергонезависимая. В ближайшей перспективе память MRAM обещает прописаться в контроллерах и SoC для вещей с подключением к Интернету и в автомобильной электронике. В отдалённой перспективе MRAM может стать как системной памятью, так и заменить кеш в процессорах, что приведёт к появлению мгновенно включающихся вычислительных систем.

реклама

Но мы отвлеклись. Новый доклад Intel на тему производства MRAM прозвучал на днях на конференции International Solid-State Circuits Conference 2019. Доклад оказался настолько оптимистичным, что аналитики заподозрили, что Intel уже поставляет коммерческие продукты с MRAM некоторым своим контрактным клиентам. По словам представителя Intel, уровень годности ячеек STT-MRAM в массивах по 7 Мбит составляет 99,998 %. С таким уровнем массовое производство можно начинать уже вчера. Но без контролера для коррекции ошибок тоже не обойтись, добавляет Intel.

Для выпуска встраиваемых массивов MRAM компания приспособила 22-нм техпроцесс 22FFL FinFET. Это очень удобно. В одном производственном цикле можно изготавливать и управляющие транзисторы и туннельные переходы в ячейках для записи данных. Кстати, компания ловко поместила туннельные переходы между вторым и четвёртым уровнями металлизации в слое с металлическими контактами. Это делает конструкцию транзистор-переход (условную ячейку) довольно компактной со сторонами 60 х 80 нм. Площадь такой ячейки равна 0,0486 мкм2.

Данные в ячейках STT-MRAM производства Intel могут удерживаться 10 лет при нагреве до 200 градусов по Цельсию. Память выдерживает миллион циклов перезаписи. Скорость считывания составляет 4 нс при напряжении 0,9 В или 8 нс при напряжении 0,6 В. Тем самым память может работать в разных пределах питания, что удобно для выпуска экономичных решений.

В заключение Intel призналась, что в её активе есть также разработка памяти ReRAM применительно к тому же 22-нм техпроцессу. Резистивную RAM компания разрабатывает как бюджетную альтернативу для тех же вещей с подключением к Интернету и для автомобильной электроники. К тому же память ReRAM обещает оказаться более плотной и компактной, но подробностей на этот счёт пока нет.

Показать комментарии (7)

Сейчас обсуждают