Память типа 3D NAND может насчитывать более 200 слоёв

Вполне закономерно, что на мероприятии Micron для инвесторов и акционеров компания обсуждала свои достижения в сфере производства твердотельной памяти типа 3D NAND, и назвала соответствующие 96-слойные микросхемы третьего поколения "эталоном для всей отрасли" как по показателю пропускной способности на операциях записи, так и по удельному энергопотреблению.

Источник изображения: Micron

Опробованная на втором поколении 3D NAND двухстековая компоновка используется и для достижения 96 слоёв, а в ближайшем будущем Micron планирует выпустить память с ещё большим количеством слоёв, которая уже будет относиться к четвёртому поколению.

Источник изображения: Micron

В перспективе, количество слоёв может превысить 200 штук, и в этой сфере Micron собирается сохранить лидерство в сегменте.

Источник изображения: Micron

Модули памяти на основе технологии 3D XPoint, которая разработана в сотрудничестве с Intel, на рынок будут выпущены в следующем году. Партнёр в этом смысле может опередить Micron, поскольку предложит модули NVDIMM соответствующего типа уже в этом году.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.3 из 5
голосов: 3

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают