Разработчик одного из перспективных вариантов памяти ReRAM компания Crossbar (а таких вариантов существует вагон и маленькая тележка) сообщил о первой компании, купившей лицензию на новую технологию. Лицензию на использование встраиваемой памяти ReRAM в чипах купила американская компания Microsemi — разработчик полупроводниковых решений для телекоммуникации, аэрокосмической отрасли, промышленности и компьютеров. Сумма сделки не оглашается. Сообщается, что Microsemi будет выпускать решения с памятью ReRAM изготовленную с нормами класса 10 нм.

В пресс-релизе нет информации о том, кто будет выпускать продукцию Microsemi со встроенной 1x-нм ReRAM. Официально известно только об одном производственном партнёре Crossbar — это крупнейший китайский контрактный производитель полупроводников компания SMIC. Но SMIC смогла освоить производство только 40-нм встраиваемой ReRAM и она ещё долго не сможет перейти к выпуску 1x-нм памяти (обычный 14-нм техпроцесс SMIC планирует запустить лишь в следующем году, а со встраиваемой памятью проблем ещё больше).

Память Crossbar базируется на принципах управляемого изменения сопротивления в слое изолятора. Роль "сопротивления" — токопроводящих линий — играют ионы серебра, которые под воздействием управляющего напряжения мигрируют из насыщенного слоя в изолятор и обратно. Ячейка ReRAM очень простая по строению и схемотехнике — один транзистор может управлять множеством ячеек. Это обещает сравнительно простое снижение масштаба технологических норм, чего нельзя сказать про производство NAND и DRAM. К тому же каждая ячейка выдерживает свыше миллиона циклов перезаписи, не нуждается в предварительном стирании и имеет задержки чтения на уровне 10 нм (задержки записи находятся на уровне 10 мкс). Иными словами, контроллеры Microsemi со встроенной памятью ReRAM могут получиться с очень интересными характеристиками.

Также Crossbar сообщила, что на следующей неделе на конференции Embedded Vision Summit она покажет ИИ-процессор со встроенной ReRAM. Объём памяти будет маловат — всего 1 Мбайт, но этот блок выполнен с использованием 40-нм техпроцесса и в случае 1x-нм техпроцесса обещает стать более ёмким. Разработка процессора с "вкраплениями" памяти ReRAM рассчитана на автономные системы распознавания лиц и объектов. Она может мгновенно включаться и выключаться, что необходимо для систем с батарейным питанием. В память загружена натренированная модель нейронной сети FaceNet. Перезапись ReRAM означает возможность модернизации модели (добавление новых лиц и изображений объектов). В Crossbar уверены, что ReRAM обеспечит прорыв на направлении портативных ИИ, что будет затруднительно для NAND, 3D NAND и 3D XPoint.