SK Hynix начнёт массовый выпуск памяти с нормами класса 10 нм во втором квартале 2017 года

В марте прошлого года компания Samsung первой в индустрии приступила к массовому производству компьютерной памяти с нормами класса 10 нм (по факту Samsung начала выпускать 18-нм чипы DRAM). Повторить подвиг Samsung и перейти к выпуску условно 10-нм памяти вскоре собирается компания SK Hynix. Как сообщают источники сайта Etnews, недавно SK Hynix завершила разработку первого поколения 10-нм техпроцесса под кодовым именем 1x и уже располагает опытным кремнием с новыми чипами памяти. К массовому выпуску микросхем DRAM с использованием техпроцесса 1x компания должна приступить во втором квартале 2017 года.

реклама

Техпроцесс 1x станет первым в серии 10-нм техпроцессов SK Hynix. Параллельно в компании ведутся активные разработки следующего в серии "10-нм" техпроцесса с кодовым именем 1y и, если верить информаторам, набирается команда для разработки техпроцесса 1z. Если SK Hynix действительно в указанные сроки начнёт выпуск DRAM с использованием техпроцесса 1x, то она сократит отставание от Samsung по технологичности выпуска DRAM с полутора лет до одного года. Кстати, компания Micron, как сообщают профильные ресурсы, всё ещё не может внедрить техпроцесс 2z для выпуска DRAM.

Снижение масштаба техпроцесса для выпуска памяти позволит увеличить объём выхода микросхем с каждой полупроводниковой пластины и в перспективе сделает их дешевле для производителя. Возможно даже, что через год-полтора компьютерная память подешевеет для покупателей. Пока же, на волне сокращения производства микросхем для рынка ПК, DRAM и модули памяти продолжают дорожать.

Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.1 из 5
голосов: 12

Комментарии Правила

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают