Нидерландская компания ASML отрапортовала о работе в третьем квартале 2016 года. По сравнению с аналогичным кварталом прошлого года выручка и чистая прибыль компании увеличились. Так, выручка выросла с 1,55 млрд евро до 1,82 млрд евро, а чистая прибыль поднялась с 322 млн евро до 396 млн евро. Данный рост был обеспечен высоким спросом на фотолитографическое оборудование для выпуска полупроводников с технологическими нормами 10 нм. Спрос на такое оборудование могли и проявляли такие компании, как TSMC, Samsung, GlobalFoundries и Intel. По понятным причинам, имена клиентов не раскрываются.

На картинке выше вы можете видеть диаграмму выручки ASML в зависимости от категории продаваемой продукции (данные на 2016 год только для трёх закончившихся кварталов). Как следует из графика, выручка от продаж фотолитографического оборудования для выпуска контрактных полупроводников растёт второй год подряд. А вот оборудование для выпуска памяти стало пользоваться меньшим спросом, чем последние три года.

Отдельно в компании ASML подчёркивают прогресс в совершенствовании фотолитографического оборудования для проекции в сверхжёстком ультрафиолетовом диапазоне EUV (13,5 нм). Производительность новейшего сканера NXE: 3350B с улучшенным источником излучения достигла 1500 пластин в сутки в течение трёх дней непрерывной работы. Прежний рекорд — это 500-550 пластин в сутки в течение четырёхнедельного периода или до 800 пластин в течение одних суток.

Кроме этого ASML продолжает совершенствовать первую версию коммерческого сканера EUV — NXE: 3300B. На заводской установке удалось добиться работы сканера в течение 30 дней с эффективностью 90%. Установленные у клиентов рабочие экземпляры NXE: 3300B демонстрируют эффективность чуть выше 80%. Специалисты ASML постепенно повышают эффективность работы ранее проданных установок. Сканеры EUV, напомним, могут начать коммерческую работу уже на этапе выпуска 7-нм продукции, в ходе чего они будут задействованы для изготовления отдельных критически важных слоёв, а произойти это должно уже к началу 2018 года.