В августе мы сообщали, что компания Samsung подготовила четвёртое поколение многослойной памяти типа 3D NAND (в компании её называют 3D V-NAND). Это 64-слойные микросхемы 3D NAND TLC ёмкостью 512 Гбит. Подобные кристаллы позволят выпускать однокорпусные SSD в упаковке BGA объёмом до 1 ТБ. Для сравнения, сегодня компания выпускает 48-слойные микросхемы 3D NAND TLC/MLC плотностью 256 Гбит, которые, к примеру, нашли применение в SSD Samsung серий 960 Pro и 960 EVO.

Китайский завод компании Samsung в городе Сиань (Xi'an)

Массовое производство 64-слойных микросхем должно начаться в четвёртом квартале текущего года. Если точнее — ближе к концу квартала, но зато, как сообщают источники, сразу на двух заводах: на китайском заводе компании в городе Сиань (Xi'an) и на южнокорейском предприятии компании в городе Хвасонг (Hwaseong). Более того, в Samsung отрапортовали, что в декабре в строй войдёт новое производство — предприятие Line 18 в городе Пхёнтхэк (Pyeongtaek). Первая продукция начнёт сходить со стапелей завода Line 18 в апреле будущего года и ею станет 64-слойная память 3D NAND.

Завод Samsung Line 18 в городе Пхёнтхэк (Южная Корея, рендер)

Завод в Пхёнтхэк компания заложила в мае прошлого года. Сумма запланированных в предприятие вложений приближается к $14 млрд. В декабре стартует первая линия предприятия с объёмом до 50 000 300-мм подложек в месяц. Всего на предприятии будет развёрнуто четыре таких линии. Как видим, Samsung верна своим планам сблизить к 2020 году цену на 512-ГБ SSD и 1-ТБ HDD, а может быть даже перевыполнить обещания и ещё сильнее сбить цену на твердотельные накопители.