Резистивная память с перекрёстной и многослойной структурой вроде бы готова воплотиться в коммерческий продукт в виде памяти 3D XPoint компаний Intel и Micron. Полной ясности на этот счёт нет. За всё время разработок RRAM (ReRAM) предложено достаточно много вариантов для реализации резистивного метода записи информации в ячейку памяти. Какой из них реализовали разработчики из компании Intel, остаётся только догадываться. Что интересно, поток разработок не иссякает. Учёные из Института Райса предложили ещё одну структуру RRAM, которая может оказаться быстрее и плотнее конкурирующих разработок.

В качестве одного из базовых материалов для ячейки памяти предложен нанопористый материал из оксида тантала. Токопроводящие каналы в пористом материале образуются после приложения к электродам напряжения программирования, которое вытесняет молекулы кислорода в вышележащий слой с образованием токопроводящих нитей из тантала в пористом материале. Поскольку этот процесс обратимый, изменение полярности напряжения программирования вновь делает пористый материал не проводимым для тока (сопротивление растёт до значительных величин).

По словам разработчиков, их вариант памяти RRAM характеризуется чрезвычайно малыми токами утечек с сохранением всех базовых характеристик резистивной памяти — условно бесконечного числа циклов программирования и высокой скорости. Одна беда, разработки пока находятся на начальном уровне и технических трудностей хоть отбавляй.