ASML агитирует производителей DRAM-памяти переходить на EUV-литографию

Как и в случае выпуска логики и процессоров, производители компьютерной памяти также пытаются удержаться на старом производственном оборудовании. При этом существует такая проблема, как снижение размеров конденсатора в составе элементарной ячейки памяти DRAM. Исходя из этого, снижать масштаб производства для DRAM намного сложнее, чем для NAND-флэш. К примеру, при выпуске новых 4-Гбит 20-нм кристаллов DDR3 компания Samsung начала использовать последовательно два фотошаблона (две проекции). Само собой, это удлиняет производство и повышает себестоимость решений. Как считают в компании ASML, выход может быть найден в переводе производства компьютерной памяти на EUV-проекцию уже на этапе освоения 16-нм техпроцесса.



Комплексная и потому затратная иммерсионная литография с использованием множества проходов для критически важных слоёв может быть заменена на простую и однопроходную с использованием проекции в жёстком ультрафиолетовом диапазоне. В компании ASML ожидают, что техпроцесс с нормами 16 нм с помощью EUV-оборудования может быть запущен во второй половине 2016 года. Однако пока переговоры с производителями памяти на этот счёт находятся в предварительной стадии обсуждения. И действительно, зачем тратиться на снижение себестоимости памяти, если покупатели и так берут планки по весьма немалой цене? Высокие цены на память несут оттенок искусственности. Но они компенсируют затраты производителей, позволяя работать на том оборудовании, что есть. Как говорил один мультяшный персонаж: "Зачем нам Таити? Нас и тут неплохо кормят!"

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.0 из 5
голосов: 27

Комментарии 11 Правила

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают