Уже известно, что компания TSMC вовсю тренируется в разработке дизайна 20-нм полупроводников. И даже 16-нм, если верить откровениям руководителей крупнейшего в мире контрактного производителя микросхем. Подобная прыть привела к появлению слухов, что TSMC может приступить к выпуску 20-нм процессоров для компании Apple, поскольку освоит нормы производства раньше компании Samsung. Между тем, в планах TSMC на текущий год значилось начать лишь опытное производство 20-нм решений, а массовку запустить в первой половине 2014 года. Была надежда, что компания успеет запустить массовое производство в ноябре или декабре, но она не оправдалась.

На недавней встрече с аналитиками, посвящённой очередному квартальному отчёту компании, исполнительный директор TSMC, Моррис Чан (Morris Chang), разъяснил текущую ситуацию с внедрением передовых техпроцессов. По словам шефа TSMC, на заводе Fab 14 завершается установка и наладка линий по выпуску 20-нм решений — так называемая 5 фаза расширения. Установка нового оборудования стартовала в апреле этого года. Обычно такой процесс занимает от 6 до 12 месяцев. Теоретически компания могла приступить к выпуску 20-нм микросхем ещё в этом году, а готовых проектов у неё для этого более чем достаточно. Однако реальное производство с этими нормами начнётся только в феврале 2014 года. Чуть позднее — в мае 2014 — 20-нм решения начнёт выпускать завод Fab 15 в рамках ввода в строй 3 и 4 фазы расширения предприятия.

Также TSMC говорит о хорошем прогрессе в деле подготовки производства с 16-нм нормами и FinFET транзисторами. Выпуск 16-нм решений начнётся через год после запуска в массы 20-нм техпроцесса. При этом в компании уже сейчас оценивают темпы освоения 16-нм норм выше, чем год назад в случае освоения 20-нм норм производства. Это вселяет надежду, что первые массовые микросхемы с нормами 16 нм появятся в срок — в начале 2015 года. Дополнительную уверенность в таком исходе вселяет то, что для выпуска 16-нм полупроводников будет задействовано 20-нм оборудование. Примерно то же самое будет происходить на линиях GlobalFoundries — обе компании собираются представить гибридные 20/16-нм и 20/14-нм техпроцессы, где элементы останутся 20-нм (по крайней мере — речь идёт о сохранении площади под затвором транзисторов), а разводка металлических слоёв частично уменьшит масштаб до 16 и 14 нм в зависимости от производителя (см. пример на картинке выше).