Члены альянса Common Platform на этой неделе продемонстрировали публике свои перспективные разработки в области литографических технологий. Компания IBM, например, выставила на показ гибкие микросхемы, а Samsung показала образец изделия, произведённого по "гибридной" технологии, сочетающей техпроцессы с 14- и 20-нм топологическими нормами.

Гибридное производство подразумевает использование 14-нм транзисторов и 20-нм компонентов обвязки (BEOL), соединяющих отдельные полупроводниковые приборы с подложкой. Партнёр Samsung по альянсу, Globalfoundries, как пишет Semiaccurate, зовёт технологию "14xm". По словам представителя Globalfoundries, такое сочетание позволит быстрее внедрить 14-нм транзисторы FinFET в массовое производство, удовлетворить спрос на технологии и даже догнать Intel, осваивающую новые технологии завидными темпами.

Если верить планам альянса, опытное производство изделий по гибридной технологии должно начаться до конца текущего года.