Samsung и IBM демонстрируют 14 и 20 нм кремниевые пластины


На прошлогоднем мероприятии Common Platform Technology Forum центральной темой стало производство кремниевых пластин по 32 и 28 нм техпроцессу. В этом году альянс поделился размышлениями о будущем литографических технологий, уделив немало внимания 20 и 14 нм нормам.

О том, какие новшества ожидают продукцию Common Platform по мере "утончения" производства, мы уже рассказывали. В частности, для 20 нм изделий компании откажутся от применения SOI в пользу монолитной подложки, но при переходе на 14 нм альянс намерен не только начать использовать "трёхмерные" транзисторы FinFET, но и вернуться к SOI (на этот раз подразумевается Fully Depleted SOI - подложка с полной изоляцией проводников от кремния).

Наконец, участники Common Platform продемонстрировали первые образцы 20 и 14 нм пластин. Жемчужина экспозиции IBM:

На стенде Samsung фотограф SemiAccurate запечатлел оба вида продукции:

Производство пластин по 20 нм технологии будет запущено в середине 2013 года. Сроки перехода на 14 нм техпроцесс по-прежнему обсуждаются, но, как мы можем судить, этого не произойдёт до начала 2015 года.

Оценитe материал
рейтинг: 4.8 из 5
голосов: 45

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают