Альянс Common Platform перейдёт на транзисторы FinFET в 2014-2015 годах


Журналисты Bright Side Of News продолжают подводить итоги мероприятия Common Platform Technology Forum 2012, которое прошло 14 марта. Как сообщается, члены альянса производителей микросхем Common Platform собираются уйти от использования традиционных планарных транзисторов в сторону решений под названием FinFET, которые также известны как "3D-транзисторы", одновременно с освоением 14 нм технологии, что должно произойти в 2014-2015 годах.

Транзисторы FinFET будут сочетаться с подложкой FD-SOI (Fully Depleted SOI, полная изоляция проводников от кремния), которые не подвержены негативному влиянию токов утечки и допускают более плотную компоновку транзисторов. На текущем этапе альянс пользуется подложками PD-SOI (Partially Depleted SOI) с частичной изоляцией проводников, но ввиду особенностей технологического процесса, производителям сложно добиться удовлетворительного количества годной продукции на выходе. Именно это стало причиной отказа от SOI в пользу монолитной подложки для 28 нм и 20 нм производства.

Кроме того, транзисторы FinFET позволят воспользоваться новыми методами компоновки полупроводниковых кристаллов в микросхеме, некоторые подробности о которой журналисты обещают рассказать в ближайшем будущем.

Оценитe материал
рейтинг: 4.8 из 5
голосов: 32

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают