Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Алексей Сычёв
"Новое" не всегда значит "лучшее".

реклама

Мы привыкли считать, что переход на использование твёрдотельной памяти, выпущенной по более "тонкому" техпроцессу, позволяет добиться снижения себестоимости накопителя, повышения его ёмкости и производительности. Однако, если прислушаться к жалобам потребителей на форуме сайта OCZ Technology , можно убедиться, что не всегда технический прогресс приносит пользу обывателю.

Как выясняется, накопители OCZ на базе контроллеров SandForce и твёрдотельной памяти производства Micron недавно начали переход на 25 нм микросхемы, хотя ранее использовали 34 нм микросхемы. Во-первых, скорость записи информации на новые микросхемы оказалась искусственным образом ограничена по инициативе производителя памяти, и некоторые владельцы новых накопителей OCZ это на себе почувствовали. Во-вторых, специфика работы функции RAISE и традиционных механизмов резервирования некоторой части памяти для компенсации износа и сбоев в случае с контроллерами SandForce выразилась в уменьшении доступного для пользователя объёма новых накопителей. Сообщается, что основанные на 25 нм памяти накопители пожертвовали на нужды повышения надёжности дополнительно до 5 Гб пространства.

реклама

OCZ пытается успокоить потребителей сообщениями о том, что потери в объёме компенсируются возросшей надёжностью хранения данных, а основанные на 25 нм памяти накопители стали дешевле предшественников. Проблема проявляется в накопителях объёмом не более 128 Гб. По внешним признакам до момента покупки "старые" и "новые" накопители никак отличить нельзя, лишь меньшая ёмкость, отображаемая в BIOS материнской платы, может указать на накопитель новой ревизии. Технически OCZ никак влиять на ситуацию не может, поскольку она целиком зависит от специфики компонентов производства SandForce и Micron. Недовольные покупатели обновлённых накопителей могут обратиться для возврата продукции OCZ по гарантии.

Сейчас обсуждают