В наше время для различных групп продуктов постоянно разрабатываются новые технологические решения. Буквально каждый год приносит свой “прорыв”, на этот раз отметилась и известная компания Samsung. На ежегодном форуме Samsung Mobile Solutions Forum была продемонстрованна новая разработка - память типа PRAM. Это энергонезависимая память с произвольным доступом, в которой используется принцип фазового перехода, особо любимый оверклокерами-экстремалами. Информация хранится по принципу смены аморфного состояния на кристаллическое, которое получают, воздействуя на соединение халькогенида со стеклом.

Как сообщают наши коллеги с ресурса DigiTimes, чип с плотностью в 512 Мбит будет способен стирать блок из 64 тысяч слов за 80 мс, что более чем в 10 раз быстрее показателей флэш-памяти типа NOR. Если же работать с информационными блоками объёмом 5 Мб, то PRAM способна стирать и перезаписывать в 7 раз быстрее стандартной NOR флэш-памяти.

Для PRAM характерно не только высокое быстродействие, но и высокие показатели энергоэффективности. Например, в Samsung считают, что новая память будет востребована в сегменте ультрамобильных, наладонных устройств, где при использовании PRAM возможно увеличение времени работы от батареи до 20%. Нельзя также не отметить и надёжность данного типа памяти. Так, информация может храниться до 300 лет при температуре в 85 градусов Цельсия. Цена и объёмы поставок новых продуктов Samsung пока остаются загадкой.