реклама
Одним из ожидаемых и самых важных событий первого дня IDF Fall 2009 стала демонстрация представителями Intel образцов ячеек памяти типа SRAM, выполненных по 22 нм технологии. Производство процессоров по 22 нм технологии стартует во второй половине 2011 года с использованием транзисторов с металлическим затвором и материалов с высоким значением диэлектрической константы третьего поколения. Первыми носителями 22 нм технологии станут процессоры Ivy Bridge, являющиеся "сжатой" версией 32 нм процессоров Sandy Bridge, примерно в 2012 году на рынке появятся 22 нм процессоры Haswell с новой архитектурой. Предполагается, что они уже получат интегрированную графику класса Larrabee.
Существующие образцы 22 нм ячеек памяти имеют площадь всего 0,092 кв.мкм. Каждая микросхема содержит 2,9 млрд. транзисторов и хранит 364 млн. бит информации. Плотность размещения элементов удалось почти удвоить по сравнению с 32 нм чипами, это позволяет говорить о продолжающемся действии закона Мура. В 2013 году Intel рассчитывает освоить 15 нм технологические нормы с использованием иммерсионной литографии, а лазеры со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) начнут применяться в рамках 11 нм технологии.
реклама
Первые 32 нм процессоры поколения Westmere, которые будут представлены в первом квартале 2010 года, уже выпускаются в массовом порядке, а их коммерческие отгрузки начнутся в следующем квартале. Intel уже продемонстрировала рабочие образцы 32 нм процессоров Sandy Bridge с составе ноутбука. Эти процессоры получат интегрированное графическое ядро шестого поколения, которое разместится на одном кристалле с вычислительными ядрами. Серийное производство процессоров Sandy Bridge начнётся во второй половине 2010 года. Архитектурным новшеством Sandy Bridge станет поддержка расширений AVX.
Сейчас обсуждают