По прогнозам учёных, в недалёком будущем кремний может уступить место графену при создании микросхем. Графен представляет собой слой углерода толщиной в один атом. Если кремниевые транзисторы теряют стабильность при размерах менее 10 нм, то графеновые транзисторы обладают великолепной стабильностью при размерах менее 1 нм. Закон Мура вынуждает производителей процессоров постоянно уменьшать размеры транзисторов, и рано или поздно кремний должен будет уступить более прогрессивному материалу.

Учёные из американского Университета Райс (Хьюстон, штат Техас) утверждают , что полоска графена толщиной в 10 атомов может служить элементарной ячейкой для нового типа твёрдотельной памяти, который со временем вытеснит существующую память на базе кремниевых элементов. Размеры ячейки графеновой памяти могут не превышать 10 нм, тогда как современные ячейки памяти используют 45 нм технологию. При использовании двумерных массивов это позволит увеличить плотность записи в пять раз. Переход от трёх управляющих терминалов к двум также обеспечит возможность создания трёхмерных массивов графеновой памяти.

Важным достоинством нового типа памяти является низкий уровень энергопотребления, необходимый для хранения информации - в 100 000 раз меньше, чем у нынешней твёрдотельной памяти. Это позволит значительно увеличить ёмкость устройств хранения информации. Нагреваясь сама по себе очень незначительно, графеновая память способна работать в диапазоне температур от минус 75 до плюс 200 градусов Цельсия. Это позволит ей работать в непосредственной близости от горячих процессоров. Высокая устойчивость к воздействию радиации открывает перед памятью этого типа перспективы использования в космосе и ядерной энергетике. Наконец, графеновой памяти присущи высокое быстродействие и долговечность. В лабораторных условиях 20 000 циклов записи не привели к какой-либо деградации свойств. Это гораздо больше, чем у существующих типов твёрдотельной памяти, которая со временем утрачивает способность хранить информацию.

Учёные сейчас работают над приемлемой технологией промышленного производства графеновых устройств. Наиболее вероятным методом получения тонкого слоя графена считается осаждение его из газообразной формы на подложку из кремния или другого материала.