Недавние прогнозы наших японских коллег высказывали мнение, что первые настольные 0.065 мкм процессоры Intel появятся во второй половине следующего года. Предположительно, это будут одноядерные процессоры Celeron D на ядре CedarMill. Возможно, что мобильные процессоры Intel тоже перейдут на 0.065 мкм техпроцесс в следующем году, да и в отношении "полновесных" настольных решений класса Pentium 4 подобные прогнозы также высказывались.

Сегодня британский сайт The Inquirer сообщил, что Intel достаточно уверенно осваивает 0.065 мкм техпроцесс, и в 2005 году рассчитывает начать массовое производство процессоров с использованием этой технологии. Как всегда, отработка нового техпроцесса ведется на ячейках памяти SRAM, и первые 0.065 мкм опытные образцы уже функционируют.

Размер затвора новых транзисторов на треть меньше, чем у элементов предыдущего поколения. Характерно, что для борьбы с неизбежно возникающими токами утечки Intel планирует использовать в рамках 0.065 мкм техпроцесса новую версию технологии "растянутого кремния" (strained silicon), позволяющую снизить уровень токов утечки в четыре раза по сравнению с 0.09 мкм техпроцессом для сопоставимой производительности. Непосредственно уровень производительности транзисторов при использовании 0.065 мкм техпроцесса удалось увеличить на 10-15% без повышения значений токов утечки. В итоге, если рассматривать случай с максимальным уровнем производительности, токи утечки возросли лишь незначительно.

По сравнению с техпроцессом без использования растянутого кремния, уровень производительности 0.065 мкм транзисторов вырос на 30%. Естественно, что такого техпроцесса, использующего 0.065 мкм нормы без растянутого кремния, в ассортименте Intel существовать не будет - это лишь гипотетическое сравнение.

Мы знаем, что AMD тоже использует разновидность технологии растянутого кремния при производстве 0.09 мкм процессоров и части 0.13 мкм процессоров. Технология применяется локально к тем участкам кристалла, где она "наиболее востребована". Резонно предположить, что с переходом на 0.065 мкм техпроцесс в 2006 году компания AMD тоже будет использовать растянутый кремний, и не исключено, что более новую версию этой технологии.

Забавно, что Intel подстраивает закон Мура под себя, утверждая об удвоении плотности транзисторов на кристалле каждые два года. В оригинальной формулировке речь шла о 12-18 месяцах, и период неизбежно растягивается из-за возникновения естественных физических барьеров на пути освоения новых техпроцессов. Самыми актуальными из этих препятствий остаются токи утечки. Бороться с этими явлениями производители планируют за счет внедрения транзисторов с несколькими затворами, использования нового поколения диэлектриков, а также транзисторов с металлизированными затворами.

Для наглядности Intel приводит такой пример: на кончике шариковой ручки могут разместиться порядка 10 млн. транзисторов, выполненных по 0.065 мкм техпроцессу. Если учесть, что современные процессоры уже перешагнули 100 млн. порог численности транзисторов, а в будущем собираются обзавестись двумя ядрами с раздельным кэшем, то покорение 200 млн. рубежа наверняка ожидает нас уже в следующем году. Подобная компактность, навеянная ассоциацией с кончиком шариковой ручки, не сможет привести к заметному уменьшению площади ядра будущих 0.065 мкм процессоров.