Южнокорейская компания SK hynix использовала виртуальную площадку GTC 2022 для демонстрации преимуществ выпускаемой ею памяти типа HBM3. По словам производителя, в одном стеке HBM3 может насчитываться до 12 слоёв против 8 у HBM2E, при этом на каждый стек приходится более 8000 межсоединений. Используя 16-канальную архитектуру, память типа HBM3 способна передавать информацию со скоростью 6,4 Гбит/с, что в два раза выше показателей HBM2E.

SK hynix считает удачной сферой применения для HBM3 системы искусственного интеллекта и активной помощи водителю, поскольку высокие скорости передачи информации в последнем случае критичны для безопасности дорожного движения с использованием автоматизированных транспортных средств.

По словам производителя, сейчас на микросхемы памяти приходится до 20% всего энергопотребления серверных систем в мире, а к середине десятилетия эта доля может вырасти до 35%. Если же к 2030 году заменить все микросхемы памяти типа GDDR на HBM3, то можно было бы сократить выбросы парниковых газов на 830 тысяч тонн. Сложно сказать, насколько этот аргумент послужит стимулом для покупателей памяти, но попытка использования производителем актуальной повестки дня в продвижении нового товара очевидна.