Корпорация Intel рассказала о темах доклада группы Components Research на конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2021. Исследователи рассказали о трех ключевых направлениях для развития и ускорения вычислений в следующем десятилетии:
- Совершенствование технологий масштабирования для увеличения количества транзисторов;
- Поиск новых возможностей в кремнии для улучшения электропитания и памяти;
- Исследование новых концепций в физике.
В области технологий масштабирования исследователи изложили пути решения сложных проектных, технологических и сборочных задач, связанных с технологией межсоединений Hybrid Bonding, предполагая более чем 10-кратное повышение плотности межсоединений в упаковке. Intel осваивает подходы вертикального наложения транзисторов для улучшения логического масштабирования от 30% до 50% в эру пост-FinFET. Вместе с новыми материалами толщиной в несколько атомов это позволит продолжать развитие в соответствии с законом Мура после 2025 года.
Более эффективные технологии питания развиваются благодаря первой в мире интеграции высокоскоростного переключения питания на основе нитрида галлия с кремниевой КМОП на пластине 300 мм. Это позволит сократить потери энергии и размеры компонентов материнской платы. Также Intel изучает возможность создания следующего поколения интегрированной высокопроизводительной DRAM памяти с применением сегнетоэлектрических материалов.
В квантовых вычислениях Intel стремится добиться высокой производительности с кремниевыми транзисторами и продемонстрировала процессы производства кубитов на 300-мм пластинах вместе с работающей при комнатной температуре первой в мире экспериментальной реализацией магнитоэлектрического спин-орбитального транзистора (англ. Magnetoelectric Spin-Orbit, MESO) на основе переключающих нанометровых магнитов. Вместе с центром исследований и разработок IMEC корпорация исследует материалы для спинтроники на пути к созданию полностью функционального устройства с переносом спинового момента.
