Текст опубликован в личном блоге и его автор не имеет отношения к администрации сайта
SK hynix завершила разработку LPDDR5X на базе технологии с обозначением 1a, как сообщается, впервые в отрасли применив для мобильной памяти структуру High-K Metal Gate (HKMG) — затвор транзистора из тонкоплёночного материала с высокой диэлектрической постоянной High-K и металлический электрод Metal Gate. Когда можно будет увидеть новую память SK hynix в мобильных устройствах, не уточняется.
Для мобильных устройств время автономной работы является не менее важным показателем, чем высокая производительность. Благодаря применению технологии HKMG инженерам компании SK hynix удалось добиться снижения энергопотребления на 25%, по сравнению с предыдущим поколением, обеспечив работоспособность на низких напряжениях в диапазоне 1,01…1,12 В. Как отмечает Wccftech, компания Samsung говорила о 20% снижении энергопотребления, когда представляла свою LPDDR5X память. При всём при этом пропускная способность на контакт LPDDR5X от SK hynix составляет 8,5 Гбит/с — от поколения к поколению прирост 33%.