SK hynix завершила разработку LPDDR5X на базе технологии с обозначением 1a, как сообщается, впервые в отрасли применив для мобильной памяти структуру High-K Metal Gate (HKMG) — затвор транзистора из тонкоплёночного материала с высокой диэлектрической постоянной High-K и металлический электрод Metal Gate. Когда можно будет увидеть новую память SK hynix в мобильных устройствах, не уточняется.

Основные этапы развития LPDDR (Low Power) памяти SK hynix. Источник: SK hynix

Для мобильных устройств время автономной работы является не менее важным показателем, чем высокая производительность. Благодаря применению технологии HKMG инженерам компании SK hynix удалось добиться снижения энергопотребления на 25%, по сравнению с предыдущим поколением, обеспечив работоспособность на низких напряжениях в диапазоне 1,01…1,12 В. Как отмечает Wccftech, компания Samsung говорила о 20% снижении энергопотребления, когда представляла свою LPDDR5X память. При всём при этом пропускная способность на контакт LPDDR5X от SK hynix составляет 8,5 Гбит/с — от поколения к поколению прирост 33%.

Источник:

SK hynix

Wccftech и TechPowerUp