Ассоциация JEDEC объявила о доступности стандарта памяти HBM3. Новое поколение High-Bandwidth Memory существенно превосходит по своим характеристикам предыдущее, сообщает Wccftech. Заложенные в HBM3 инновационные подходы позволяют добиться сочетания высокого уровня пропускной способности и плотности при низком энергопотреблении.
В новом поколении пропускная способность на контакт возрастает до 6,4 Гбит/с, а максимальная общая пропускная способность одного стека — до 819 ГБ/с. Поддерживаются стеки высотой 4-, 8- и 12-Hi с применением TSV-межсоединений, а в будущем планируется расширить количество уровней до 16. С поддержкой широкого диапазона плотности для чипов памяти возможно создание стеков объёмом от 4 до 64 ГБ. Также в HBM3 увеличилось количество каналов, теперь их 16, но работать HBM3 может в 32-канальном режиме за счёт возможности разделения каждого канала.
Как отмечается, HBM3 отвечает требованиям рынка в отношении надёжности, доступности и удобства благодаря встроенной коррекции ошибок и их отслеживанию в реальном времени, а одной из составляющих высокой энергоэффективности является низкое рабочее напряжение 1,1 В.