Samsung объявила о доступности твердотельных накопителей 990 EVO Plus с поддержкой PCIe 4.0, линейка включает три модели объёмом 1, 2 и 4 терабайта. Накопители оснащаются фирменной флэш-памятью Samsung V-NAND 8-го поколения, 5-нанометровым контроллером, не имеют DRAM-буфера, но используют продвинутую систему SLC кэширования под названием TurboWrite 2.0.
Скорость новых накопителей на операциях последовательного чтения достигает 7,25 гигабайт в секунду, а скорость записи — 6,3 гигабайт в секунду. Это значительное преимущество над представленными ранее накопителями Samsung 990 EVO, пиковые скорости которых достигают 5 и 4,2 гигабайт в секунду соответственно. К слову, и базовые 990 EVO и новые с приставкой Plus поддерживают не только PCIe 4.0, но и PCIe 5.0, однако если в первом случае накопитель использует четыре линии интерфейса, то во втором только две.
В Samsung также отмечают производительность новых накопителей на мелкоблочных операциях, особенно модели объёмом 4 терабайта, заявляя, что она имеет скорость произвольного чтения 1,05 миллионов операций ввода-вывода в секунду (IOPS) и скорость произвольной записи 1,4 млн IOPS. Компания называет накопитель оптимальным решением для игр и задач, связанных с искусственным интеллектом.
Рекомендованные цены Samsung на накопители 990 EVO Plus для зарубежного рынка: 109,99 долларов США за модель объёмом 1 терабайт, 184,99 и 344,99 долларов за модели объёмом 2 и 4 терабайта соответственно.