ИТ-индустрия в настоящее время сталкивается с ростом цен на оперативную память, вызванным развитием искусственного интеллекта. Новая разработка от SanDisk может решить эту проблему, не в краткосрочной перспективе, но, по крайней мере, в долгосрочной.Изображение: нейросеть qwen

Компания изготовила первые прототипы экспериментальной памяти 3D Matrix Memory (или 3D-матричной памяти) на стандартных 300-мм кремниевых пластинах и подготовила их для дальнейшего тестирования. По данным компании, чипы, в которых несколько слоев памяти расположены друг над другом, уже вмещают несколько гигабит данных и достигают уровня производительности, близкого к конечному продукту. Об этом рассказал технический директор SanDisk Альпер Илкбахар на Дне инвестора 2026, как сообщает Computerbase.

3D-память может стать альтернативой повсеместно распространенной сегодня DRAM. Ключевое отличие заключается в использовании 3D-архитектуры. В обычной DRAM ячейки памяти расположены плоско, рядом друг с другом. Там они образуют матрицу из строк слов и битов. Каждая ячейка памяти находится точно на таком пересечении, чтобы ее можно было считывать или записывать с помощью электрических импульсов. Строка слов действует как переключатель, активируя доступ к ряду ячеек памяти, в то время как строка битов передает, считывает или записывает фактические данные (биты).

Структура в современной DRAM настолько мала, что достигает своих физических пределов. Это означает, что себестоимость производства одного бита для обычной RAM практически невозможно снизить. В 3D-архитектуре ячейки памяти больше не устанавливаются плоско в один слой, а располагаются друг над другом. Эта вертикальная архитектура позволяет увеличить емкость хранения в четыре раза по сравнению с обычной DRAM при сопоставимой производительности и, как ожидается, вдвое снизит себестоимость производства одного бита.

Техническая реализация решения довольно сложна. Нельзя просто складывать обычные DRAM друг на друга. Основная причина — высокие температуры, необходимые для производства. Простое добавление второго слоя разрушит первый. Поэтому для 3D-памяти необходимо разработать совершенно другие материалы и производственные процессы.

Таким образом, 3D Matrix Memory не может предложить краткосрочного решения проблемы цен на оперативную память. Вероятно, пройдут годы, прежде чем она выйдет на коммерческий рынок. Как подчеркнул технический директор SanDisk, это долгосрочный проект, который пока останется на стадии исследований и не является реалистичной заменой DRAM в краткосрочной перспективе.