UltraRAM - новый тип памяти, обладающий скоростью ОЗУ

для раздела Блоги
Начислено вознаграждение
Эта новость написана посетителем сайта, и за неё начислено вознаграждение.

  Исследователи из Ланкастерского университета в Великобритании изобрели новый тип "универсальной памяти", которая подходит как для хранения данных, так и в качестве оперативной памяти. Технология, названная UltraRAM, призвана изменить работу существующих компьютеров, смартфонов и других устройств.

реклама

  UltraRAM объединяет в себе преимущества флэш-памяти и DRAM. Хотя системы хранения, такие как жесткие диски (HDD) или твердотельные накопители (SSD), имеют лучшее соотношение стоимости к единице объема, они также значительно медленнее. Оперативная память, в которой данные хранятся до тех пор, пока они работают, и исчезает при потере питания, намного быстрее, поэтому процессор может получить доступ к данным здесь быстрее, чем на жестком диске или твердотельном накопителе. Энергонезависимая RAM должна объединить два типа памяти в один. Раньше предпринимались попытки создать такую память, например: NRAM, STT-MRAM и ReRAM, но они были отвергнуты по ряду причин.

реклама

  UlraRAM обладает в 100 раз меньшим энергопотреблением чем DRAM, но с аналогичными рабочими скоростями. Изобретатели утверждают, что  UlraRAM сочетает в себе преимущества памяти DRAM и флэш-памяти без каких-либо недостатков, и делает её идеальной в качестве универсальной технологии памяти. У UltraRAM, вероятно, будет один главный недостаток в первое время производства, если она когда-либо достигнет этой стадии, это будет цена за Гб. Это недостаток затрагивает практически все новые технологии. Однако, если UltraRAM преуспеет в обеспечении улучшений по сравнению с модулями на основе DRAM, то уменьшение стоимости станет лишь вопросом времени, и цена вполне может достигнуть приемлемых значений.

  Как работает UltraRAM?

реклама

 UltraRAM - это составная полупроводниковая память для хранения заряда, которая использует квантово-механический эффект резонансного туннелирования, позволяя затвору переключаться с непрозрачного на прозрачный при подаче небольшого напряжения. Этот процесс потребляет очень мало энергии, в то же время обеспечивая рабочие скорости, аналогичные оперативной памяти. Быстрый переход от непрозрачности к прозрачности резонансно-туннельного затвора способствует созданию очень компактной архитектуры с высокой битовой плотностью. Другими словами, мы можем увидеть технологию, реализованную в чипах с несколькими Гб, в отличие от чипов с несколькими Мб, что в настоящее время является пределом для конкурирующих технологий универсальной памяти со скоростью на уровне ОЗУ.

Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.5 из 5
голосов: 17

Комментарии Правила

Возможно вас заинтересует

Популярные новости

Сейчас обсуждают