Innosilicon разогнала память для мобильных устройств LPDDR5X до 10 000 Мбит/с

Китайская компания Innosilicon заявила, что у ее инженеров удалось добиться стабильного функционирования памяти LPDDR5X на весьма внушительной скорости: 10 000 Мбит/с. Это ощутимо больше, чем 8533 Мбит/с – предельный показатель, утвержденный JEDEC в спецификации для LPDDR5X. Удалось Innosilicon и снизить тайминги памяти – если верить заявлениям представителей фирмы, они уменьшились примерно на 15% от стандартных значений.

Чипы LPDDR5X в ближайшем будущем будут применяться в передовых мобильных гаджетах – немало фирм-производителей сейчас занимаются их тестированием. К примеру, южнокорейская корпорация Samsung представила одни из первых 14-нм 16-гигабитных чипов LPDDR5X в конце 2021 года. Тогда фирма заявила, что ее новые чипы могут похвастаться стабильной скоростью работы, равной 8500 Мбит/с. Продукция Innosilicon, если ее стабильную работу удастся обеспечить в рамках серийного производства, будет еще более производительной – разогнанная LPDDR5X сможет обеспечить рекордную для стандарта пропускную способность до 80 ГБ/с – на 56% больше, чем у LPDDR5-6400. Ключевой вопрос – удастся ли наладить массовый выпуск подобной высокопроизводительной памяти, или это будет эксклюзивный, нишевый продукт для премиальных устройств.