Компания Samsung из Южной Кореи готовится покорить рубеж в виде выпуска 1000-слойной флеш-памяти V-NAND. Очередным этапом на этом пути становится появление прототипа 900-слойной V-NAND.
Технология V-NAND многими воспринимается как одна из наиболее продвинутых на рынке. В 2024 году Samsung предсказала выпуск 1000-слойной памяти с применением новых «ферроэлектрических» материалов.
Издание ETNews пишет о создании 900-слойной памяти с применением технологии CMB (Cell Multi-Bonding). В ней два стека ячеек по 450 слоёв в каждом объединяются воедино. Это даёт Samsung возможность увеличить ёмкость устройств хранения данных вроде твердотельных накопителей, которые сейчас на фоне бума искусственного интеллекта подорожали, как и многие другие компьютерные компоненты.
На пути к достижению такого результата Samsung пришлось преодолеть немало технологических препятствий, одним из которых стало искривление пластин. Решением стала конструкция Upper Chuck Design. Другой проблемой было сравнение ошибок выравнивания, в чём помогла технология «коррекции наложения».
В числе главных конкурентов Samsung находится другая южнокорейская компания, SK Hynix, которая предлагает 321-слойную технологию NAND и работает над 400-слойной с применением гибридного соединения (Hybrid Bonding). Samsung в своей 400-слойной памяти будет применять вертикальное соединение (Vertical Bonding).
Ещё есть китайская компания YMTC (Yangtze Memory Technologies Co), которая предлагает 294-слойные и 232-слойные чипы NAND. Сейчас она ведёт строительство новых предприятий, которые должны удвоить количество производимых кремниевых пластин.