Компания Samsung строит современный завод по выпуску полупроводниковых чипов в Тейлоре, штат Техас, США. Она потратила миллиарды на строительство завода и недавно получила $4,74 млрд в виде субсидий от США. Ожидается, что промышленное производство процессоров на этом заводе начнётся в 2026 году. Целью является конкуренция с компанией TSMC.
Сообщается, что компания планирует производить на этом заводе чипы на техпроцессах 2 нм и 3 нм. Компания привезёт оборудование в начале 2026 года и начнёт производство до конца того же года.
Для сравнения, TSMC, крупнейший конкурент Samsung, уже начала производство чипов 4 нм на своём заводе в Аризоне. Ожидается, что к концу этого года тайваньская компания будет готова к производству чипов 2 нм и 3 нм.
Южнокорейский производитель собирается применить технологию Gate All Around (GAA) как для 2 нм, так и для 3 нм. TSMC применит технологию EUV для своих чипов 3 нм и GAA для чипов 2 нм.
Несмотря на отставание от TSMC, Samsung планирует предложить сервис «turnkey», оптимизированный для производства чипов с поддержкой искусственного интеллекта. Компания предоставит все услуги под одной крышей, что позволит сократить время, необходимое для перехода от разработки до производства, на 20%.
Несколько лет назад Samsung анонсировала план Vision 2030, чтобы стать лидером в выпуске полупроводниковых чипов к 2030 году. Однако компания столкнулась с рядом преград, частично технологических, частично из-за стратегических провалов и политических ситуаций.
Аналитики считают, что Samsung Foundry с большей вероятностью сможет выжить, если будет выделена из состава Samsung Electronics. Тем не менее председатель Samsung Electronics Ли Джэ Ён несколько месяцев назад заявил, что компания не будет выделять своё подразделение Foundry.