Страсти вокруг утечки технологии производства DRAM в Китай не утихают. Ранее под руку судебной системе попался бывший руководитель Samsung, который поспособствовал утечке документации по 18 нм техпроцессу, за что получил 7-летний срок.

Спустя время компания Samsung не сбавляет обороты в деле превращения в "технологическое решето". Она все так же является главным источником последних технологий для китайской Changshin Memory Technology (CXMT), активно поддерживаемой правительством.

Как сообщает южнокорейское издание The Elec, прокуратура Сеула арестовала действующего руководителя CXMT, подозревая его в нарушении местного закона о защите промышленных технологий. Отмечается, что текущий директор CXMT — бывший глава Samsung, который ответствен за передачу в Китай передовой 10 нм технологии производства DRAM. Кроме него арестованы еще четыре сотрудника компании.

Следует заметить, что 10 нм нормы в сфере DRAM отличаются от тех, которые применяются в традиционном производстве микросхем. SK Hynix только в конце прошлого года запустила массовое производство памяти шестого поколения на базе 10 нм техпроцесса. А Samsung в течение 5 лет инвестировала в эту область около 1 млрд долларов.

Расследование также обнаружило передачу одним из сотрудников Samsung информации о сотнях этапов технологического процесса, которая позволила в 2023 году запустить в Китае первый массовый выпуск чипов для ОЗУ. Суммарный эффект от утечек описывается тем фактом, что в настоящий момент CXMT изготавливает память DDR5 и HBM3, занимая 15% мирового рынка DRAM.