Тестирование и разгон «CSX Diablo DDR2-1200» или Micron forewer!

18 декабря 2007, вторник 14:07
для раздела Блоги
Итак, сегодня я хотел-бы вновь познакомить уважаемых Господ оверклокеров с новым игроком на Рынке оперативной памяти „CSX Memory“. А именно, с самой старшей моделью оверклокерской памяти на чипах Micron D9 GMH.
Представляем Вашему вниманию: CSX High Performance Xtreme Overclocking DIAВLO CSX-XAC-1200-2GB-Kit

ВСТУПЛЕНИЕ


Прежде всего хочу обосновать, почему я тестирую память с такой высокой периодичностью.
Я довольно долго «скитался» в поисках идеальной памяти для моей платформы – основными критериями выбора являлась естественно прежде всего разумная цена, максимальная номинальная частота и естественно максимальный разгонный потенциал. Я перепробовал множество различной памяти на микронах, вместе около 60-ти комплектов Crucial BallistiX, CellShock, Team Group… - то есть фактически всех, имеющихся в Европе лучших претендентов... И тем не менее так и не обнаружил среди них ничего более-менее подходящего, хотя, не буду скрывать, что всё это время в своём выборе я стремился к идеалу (1250-1300МHz 5-5-5-15 до 2,3V).
И вдруг, я в ходе обсуждения моей первой статьи «напоролся» на одну совершенно неизвестную мне доселе фирму „CSX Memory“, точнее мне дали «наколку», за которую хочу отдельно поблагодарить господина Ivan_FCB.
Созвонился с этой фирмой и попросил выслать пару комплектов памяти на тестирование, перед этим уладив все необходимые формальности.
Представители фирмы отнеслись к моей просьбе очень серьёзно и незамедлительно выслали данный комплект на «пробу», при этом пожелав мне на чистейшем русском языке«удачного разгона».

ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ


Фирма „CSX Memory“ практически не известна даже в Германии, так как занимается снабжением рынка ОЕМ, являясь одним из крупнейших поставщиков памяти для компьютеров „Apple МАС“.
На рынок для конечных потребителей производитель вышел относительно недавно, успев однако при этом произвести фурор своими продуктами, являющимися в данный момент лучшими в сочетании характеристик «цена/качество».
CSX High Performance Xtreme Overclocking DIAВLO CSX-XAC-1200-2GB-Kit – добротный продукт с продуманной системой охлаждения

«Гребешки» - выфрезерованны и имеют замкнутый контур – образовывая наиболее большую площадь рассеивания, что позволяет очень эффективно отводить тепло от микросхем.
Согласно даташиту память должна гарантированно работать в режимах:


Overclocking Setting 1: 1066MHz / 5-5-5-16 / 1.9V +/-0.025
Overclocking Setting 2: 1100MHz / 5-5-5-16 / 1.95V +/-0.025
Overclocking Setting 3: 1200MHz / 5-5-5-16 / 2.4V +/-0.05


Память выполненна на 8-Layer РСВ, я с некоторых пор склоняюсь к памяти выполненной именно на восьмислойной плате, так как она уже доказала, что способна на большее, чем продукты построенные на 6-Layers ULN (просая шестислойная), ULN-M (модифицированная шестислойная) и Экранированная ULN-M (применяет только Team Group). Выполненна разумеется на чипах Micron D9 GMH.

Итак, приступаем к разгону.
Платформа:
CPU: Intel® Core 2 Duo E6750/Thermalright SI-128 SE+SilverStone FM122B
MAINBOARD: DFI LanParty UT P35-T2R+ Transpiper passive
VGA: PCI-E XFX NV GF7900GS 600M/АС Ассelero S1+2х120мм. Хailense Gel
FDD DRIVE: TEAC 1,44MB 3,5 FDD/7.1CReader
SATA DRIVE: LiteOn DH-20A1S
SATA HD DRIVE: Western Digital Raptor WD360ADFD
CASE: Открытый стeнд - oхлаждение: 2 Х 120 XSailense Gel
POWERSUPPLY: Seasonic M12-700 Cablemanagement
AUDIO: Sharcoon Dynamic 5.1 Dolby Digital Headset


Думаю, что никто не будет оспаривать тот факт, что для платформ „Intel“, наиболее производительным режимом является эксплуатация памяти на максимально возможной частоте в районе 1200MHz (чем больше, тем лучше) с задержками 5-5-5-15.
В это раз я не буду тестировать память на 3-3-3-9 и на 4-4-4-12, так как не вижу в этом никакого практического смысла - какова-бы не была максимальная частота на этих таймингах, всё-равно призводительность будет ниже, нежели при максимальном разгоне с 5-5-5-15. Лучше попробую при максимальной частоте уменьшить тайминги настолько, насколько это будет возможно, а также сравню производительность с максимальной частотой на 5-5-5-16, посмотрим, что на практике лучше.

К "Overclocking Setting 1: 1066MHz / 5-5-5-16 / 1.9V +/-0.025" я честно говоря поначалу отнёсся скептически, но быстро понял что ошибся, достигнув 1100МHz всего-лишь на 1,98V
*У меня на плате V-DIMM Drop 0,02-0,08V, так что прошу принять во внимание напряжения которые указываю я.

Едем дальше: 1140 стабильных Мегагерц на 1,98V

Ещё дальше: 1190МHz на 2,09V - такой результат получаю впервые.

Теперь самое главное, добавил буквально 0,2V (под нагрузкой) и получил стабильные 1203МHz под напряжением в 2,11V

Ну чтож, пока всё очень даже неплохо и вобще память напоминает по напряжениям гонибельные чипы "Hynix", но в Datasheet прописано чётко GMH.
Хорошо, попробую исчерпать его потенциал до конца:

Полностью стабильные 1290МHz на 2,28V - это уже очень и очень неплохо.


Хочу отметить, что для полного раскрытия разгонного потенциала, этой памяти хватает 2,4-2,45V напряжения, итак - поехали:

Низкие задержки и напряжение всего 2,43V


1275МHz - напруга всё таже.


1330МHz на 2,43V, нормально я считаю для такого "Performance Level" и для такого напряжения. Мax. Screen находится в районе 1360МHz - при такой частоте ещё можно пройти валидацию CPU-Z (напряжение поднимал до 2,5В).

Сводная таблица задержек частот и напряжений:

НапряжениеЗадержкиЧастоты
1,98V5-5-5-161140MHz
2,095-5-5-161190MHz
2,115-5-5-161203MHz
2,28V5-5-5-161290MHz
2,43V5-4-4-91200MHz
2,43V5-5-5-161330MHz
2,51V5-5-5-161353MHz




ЗАКЛЮЧЕНИЕ


Итак, судя по результатм разгона памяти, можно смело утверждать, что данная память является безусловным выбором оверклокера.
Особенности РСВ и селектированные чипы дают возможность максимального разгона памяти. 1290МHz 5-5-5-16 на 2,28V при полной стабильности - подобный результат я не нашёл в достаточно богатой статистике разгона конференции.
1200МHz на 2,1V - в статистике обнаружил всего 2 подобных результата, видимо это и есть "старый добрый" Микрон и приверженцы "Hynix" могут спать спокойно.
Данная особенность может оказаться полезной для владельцев материнских плат, на которых отсутствуют более высокие значения возможных напряжений. Кроме того, напряжения в пределах 2,15V - в последнюю очередь будут являться причиной отказов или сбоев памяти на Micron-ах.
Вот и я, нашёл-таки для себя память наиболее приближённую к идеалу и наиболее соответствующую моим требованиям. Память эту оставляю себе - решил это точно, и пока о DDR3 даже не буду думать.
Небольшой FAQ по памяти CSX.

Критику воспринимаю сюда
Желаю всем удачного разгона, а также отлично встретить Новый, 2008 Год.
Оценитe материал

Возможно вас заинтересует

Популярные новости

Сейчас обсуждают