На выставке FMS 2026 в Санта-Кларе (Калифорния, США) Samsung представила перспективные архитектуры памяти следующего поколения — zHBM и zNAND-O. Обе технологии пока существуют только в виде концепций, но уже привлекли внимание индустрии.
Источник изображения: Samsung
Буква «z» в названии указывает на вертикальное размещение — по оси Z. В случае zHBM это означает, что память будет располагаться не рядом с процессором, как в современных системах, а непосредственно над ускорителем ИИ. Это сокращает путь данных и повышает пропускную способность. По заявлениям Samsung, zHBM обеспечит примерно в 8 раз большую производительность по сравнению с HBM5, а плотность памяти возрастет более чем в 10 раз. Энергоэффективность увеличится в 3 раза, а тепловое сопротивление снизится вдвое.
Источник изображения: Samsung
Вторая новинка — zNAND-O — представляет собой аналогичную вертикальную технологию для NAND-памяти. Она будет использовать четырех- и восьмислойные варианты V-NAND и ориентирована на периферийные ИИ-системы, работающие с большими объемами данных в реальном времени.
Источник изображения: Samsung
Конференция Future of Memory and Storage (FMS) проходит в Санта-Кларе и является одной из ключевых площадок для анонсов в области полупроводниковой памяти. Показ zHBM и zNAND-O на этом мероприятии подчеркивает намерение Samsung закрепиться в сегменте высокопроизводительных решений для искусственного интеллекта. Однако, как отмечают отраслевые обозреватели, до появления реальных продуктов на основе этих разработок пройдут годы, и пока это лишь демонстрация инженерной мысли.
