В Китае стремятся к разработке 3-нм чипов без использования передовых литографических машин, что может стать значимым прорывом на фоне ограничений со стороны США на закупку такого оборудования. Как отмечает South China Morning Post (SCMP), инженеры пытаются достичь ультратонких техпроцессов, используя более старые технологии глубокой ультрафиолетовой литографии (DUV) и сложные методы многократного паттернинга. Такой подход позволяет обходиться без оборудования экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV), которое контролируется западными компаниями и фактически недоступно Китаю из-за экспортных ограничений.Источник изображения: ChatGPTВ материале издания говорится, что китайские компании и исследовательские центры постепенно улучшают свои производственные процессы, комбинируя существующее оборудование с новыми инженерными решениями. В частности, применяются технологии многократного экспонирования, которые позволяют достигать более высокой плотности транзисторов, хотя и увеличивают сложность и стоимость производства. Аналогичный подход уже позволил китайскому производителю Semiconductor Manufacturing International Corporation приблизиться к уровню 5-нм чипов без использования EUV, что эксперты рассматривают как свидетельство растущей технологической самостоятельности страны.

Тем не менее аналитики подчёркивают, что такие решения остаются менее эффективными по сравнению с современными производственными линиями, используемыми глобальными лидерами индустрии. Полноценное производство 3-нм чипов сегодня требует крайне сложных EUV-систем, которые обеспечивают более высокую производительность и лучшее энергопотребление. В условиях отсутствия доступа к этим технологиям китайским компаниям приходится идти на компромиссы – увеличивать число этапов производства и сталкиваться с более низким выходом годных кристаллов.