Текст опубликован в личном блоге и его автор не имеет отношения к администрации сайта
Генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг в интервью подкасту The All-In Podcast высказал мнение о перспективах китайской полупроводниковой отрасли. Он считает, что Китай сможет разработать собственные передовые литографические системы уже через три-четыре года, то есть к 2030 году.
Источник изображения: Nvidia
Хуанг отметил, что Китай очень силен в массовом производстве, и для него два-три года — это небольшой срок. «Они уже там», — сказал он, имея в виду, что с точки зрения китайских специалистов цель почти достигнута. Однако автор статьи Tom's Hardware Антон Шилов указывает, что Хуанг может быть излишне оптимистичен. Сейчас ведущий китайский производитель литографических сканеров — Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE) — способен серийно выпускать 193-нанометровые ArF dry-сканеры для техпроцесса 90 нанометров.
Сообщается, что компания разработала и 28-нанометровый ArF immersion-сканер, но публичных доказательств его массового производства и использования нет. Даже если первые такие системы будут поставлены китайским производителям чипов в 2026 году, их широкое применение вряд ли начнется раньше 2028–2029 годов.
Китай значительно отстает и в области EUV-литографии. Хотя есть сообщения о создании лабораторного источника излучения с длиной волны 13,5 нанометра, которое необходимо для этой технологии, собранных прототипов EUV-сканеров пока нет. Для производства таких систем требуются исключительные возможности в области позиционирования пластин и фотошаблонов, совмещения, проекционной оптики и метрологии. Если Китай все еще испытывает трудности с промышленным освоением иммерсионной DUV-литографии, маловероятно, что он уже решил эти задачи на более сложном уровне EUV. Тем не менее, учитывая масштаб гонки ИИ и решимость китайского правительства, это действительно может быть лишь вопросом времени.