Ретроклокинг: оперативная память и «кукурузные» мегагерцы (страница 6)

DDR3

Когда гонка за частотой DDR2 иссякла, а производительность подсистемы памяти нужно было повышать, возникла необходимость в новом стандарте, которым стала память DDR третьего поколения, появившаяся в пользовательских ПК во второй половине 2007 года. Первыми чипсетами, поддерживающими новую память, стали наборы системной логики Intel P35/X35 Express, предназначенные для процессоров Intel Core 2 Quad/Extreme в исполнении LGA 775. Номинально старт частот был взят с отметки 800 МГц, но фактически – с 1066 МГц при CAS Latency равным 7.

Основными отличиями третьей версии DDR от второй были уменьшенное до 1.5 В напряжение, более тонкий 90 нм техпроцесс изготовления, большее количество контактов FBGA микросхем памяти, отвечающих за питание и передачу сигналов, более высокие тактовые частоты и заметно увеличившаяся CAS-латентность. Как и при переходе от DDR к DDR2, в данном случае производительность системы с установленной DDR3 с частотой 1066 или 1333 МГц не давала значительного преимущества, а порою проигрывала в производительности топовым модулям предшествующего стандарта. Отчасти из-за этого ведущие производители материнских плат оснащали модели на чипсете Intel X38 только разъемами памяти стандарта DDR2 (и лишь небольшое количество плат выходило с поддержкой DDR3).

реклама

Интенсивный рост частот и расцвет памяти DDR3 пришелся на конец 2008-го года с анонсом новой процессорной микроархитектуры Intel – Nehalem. С появлением ЦП в конструктиве LGA 1156 и LGA 1366 на ядрах Lynnfield и Bloomfield частота памяти начала быстро расти вверх, и на процессорах с микроархитектурой Haswell (Refresh) она достигла своего пика, попутно отпочковавшись в стандарт DDR3L (с питающим напряжением 1.35 В). Чем все это закончилось, вы знаете. У многих пользователей если не у половины в системных блоках еще стоит память этого стандарта, хотя DDR4 со второй половины 2014 года уже вовсю шагает по планете.

Как и ранее, не все микросхемы были одинаковы хороши с точки зрения производительности, используемых таймингов и рабочего напряжения. Зачастую определить истинного производителя по модулям памяти, одетым в радиаторы, не представлялось возможным. Но такая информация о микросхемах и производителе каталогизировалась на форумах в соответствующие RAM листы. И при должном внимании можно было с большей долей вероятности отыскать среди гор информации искомый комплект памяти.

Если отбросить первоначальный этап развития микросхем памяти стандарта DDR3, то «царем горы» были решения Micron (D9GTR, D9GTS и D9GTN), обладавшие скоростными характеристиками и возможностью работы с таймингами 6-5-5 на частотах вплоть до 1800 МГц либо 7-6-6 на близких к 2000 МГц частотах, но требовавшие очень высокого напряжения. Примерно 2 В, а в особых случаях приходилось подымать его до 2.2-2.3 В, что для новой вышеуказанной процессорной микроархитектуры было неприемлемо из-за высокого напряжения, подаваемого на контроллер памяти.

На снимке ниже – пример раннего комплекта памяти на микросхемах Micron емкостью 1 Гбайт на планку, модель Apacer Aeolus с необычным дизайном и активной системой охлаждения.

450x390  46 KB. Big one: 1200x1041  272 KB

реклама

Все самое интересное в мире DDR3 началось с памяти производства японского полупроводникового гиганта Elpida Memory Inc. Итак, какие же микросхемы памяти были излюбленным выбором оверклокера? Это Elpida Hyper (MNH-E и позже MGH-E). Данные микросхемы обладали очень низкими характеристиками устанавливаемых таймингов и одновременно обеспечивали высокую итоговую рабочую частоту.

Модули памяти, основанные на них, хорошо подходят для всех процессоров Intel, начиная с семейства Core2 Duo до Sandy Bridge включительно, а также для процессоров в исполнении LGA 1156, LGA 1366 и Socket AM3. Рабочее напряжение Elpida Hyper лежало в диапазоне 1.65-1.85 В, но при должном охлаждении линейный рост частот продолжался вплоть до 2 В. Планки памяти, основанные на таких микросхемах, были способны работать на частоте 1600 МГц с таймингами 6-6-6, при 1866 МГц – 7-8-7, при 2 ГГц – на 7-8-7 либо всех восьмерках, и так далее вплоть до 2250 МГц с формулой 8-8-8.

Лучшими представителями памяти были комплекты Corsair Dominator GT2 (CMGTX2) с частотой 2250 МГц, таймингами 8-8-8-24 и напряжением 1.65 В. Объем одного модуля составлял 2 Гбайт, установленная производителем стоимость – $200. Данные модули памяти вышли ограниченным тиражом и реализовывались Corsair через свой интернет-магазин, найти их сейчас на вторичном рынке очень проблематично.

450x316  49 KB. Big one: 559x393  77 KB

450x259  47 KB. Big one: 900x517  197 KB

Но какие только рекорды не устанавливались благодаря этим модулям памяти. При экстремальном охлаждении они могли работать на частоте 2400 МГц с таймингами 7-8-7, а на 8-8-8 еще выше.

450x295  50 KB. Big one: 1200x787  301 KB

Еще одним высокочастотным комплектом стал набор Super Talent (WS220UX4G8) с частотою 2200 МГц и таймингами 8-8-8-24 с напряжением 1.65 В. По своим характеристикам он был способен осилить частоты свыше 2400 МГц при Cas Latency 8.

450x236  29 KB. Big one: 1000x525  115 KB

Память на микросхемах Elpida Hyper выпускали различные производители – Corsair, Kingston, Mushkin, OCZ, Patriot, SuperTalent, TeamGroup, G.Skill и другие.

В качестве примера приведем модули G.Skill Perfect Storm F3-16000CL7T-6GBPS с частотою 2000 МГц, таймингами 7-8-7-20 и напряжением 1.65 В.

450x144  41 KB. Big one: 1200x385  249 KB

Следующим решением, оставившим свой след в истории, стали микросхемы производства Powerchip X-серии (PSC). Они отличались не только нелинейной формулой таймингов CL-tRCD-tRP-tRAS, но и завышением значения tRCD на две-три единицы относительно CAS и tRP. Такая память характеризовалась низким значением Cas Latency и требовала стандартного напряжения 1.65 В.

реклама



Лучшие модули памяти на микросхемах PSC производила компания G.Skill в серии Pi. При выборе этой памяти энтузиаст «из коробки» получал Cas Latency 6 (!) на частоте 2 ГГц, либо Cas Latency 8 на частоте 2400 МГц, а ведь это были стандартные частоты и тайминги. Естественно, эти планки еще и разгоняли.

При воздушном охлаждении лучшие комплекты позволяли достичь частот 2600-2700 МГц с таймингами 8-12-8 либо 8-14-8. А при использовании экстремальных типов охлаждения им покорялись тайминги 6-9-6 или 6-10-6 на частоте 2800-2900 МГц.

450x372  50 KB. Big one: 1200x991  319 KB
G.Skill Pi Series F3-1600CL6D-4GBPIS.

450x180  43 KB. Big one: 1200x480  248 KB
G.Skill Pi Series F3-19200CL8D-4GBPID.

реклама

Как видите, с точки зрения конечных характеристик микросхемы PSC-X вместе с Elpida Hyper на голову превосходят все остальные решения вместе взятые. Единственный минус – небольшой объем планок (2 Гбайт на модуль), хотя на момент их выхода четырех планок памяти должно было хватить для комфортного времяпрепровождения, а с точки зрения бенчмаркинга это лучшие микросхемы DDR3.

Дальнейшее развитие стандарта DDR3 пошло по пути увеличения емкости, и новым лидером со времен DDR стала компания Samsung с микросхемами серии K4B2G0846D (здесь уместна аналогия с легендарными TCCD).

Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.8 из 5
голосов: 109

Комментарии Правила

Лента материалов раздела



Возможно вас заинтересует

Популярные новости

Сейчас обсуждают