Отечественные компании, импортирующие в Россию различные комплектующие, регулярно присматриваются к разным предложениям иностранных производителей с целью расширения ассортимента.
На практике это выглядит так: заказывается некоторый набор образцов заинтересовавших позиций, эта партия всесторонне изучается, иногда затем предоставляется некоторым независимым тестерам для получения дополнительных комментариев и оценок. Затем массив данных суммируется, и на его основе принимается решение – вводить новинки в ассортимент или нет.
Моя работа с «железом» не исчерпывается написанием статей для Overclockers.ru – через меня проходит энный поток комплектующих как раз из вышеуказанной группы, данные о результатах тестирования которых оказываются в распоряжении исключительно заказчиков и нигде не публикуются.
Ради пробы было решено поделиться результатами одной такой работы с широкими массами. Предметом и целью стали модули оперативной памяти стандарта DDR4 компании AFOX и их возможности – 12 модулей, образующих шесть пар-комплектов.
Материал подается в виде краткого отчета.
Модули AFOX поставляются поштучно, будучи запакованными в блистер из прозрачного пластика. Упаковка опломбирована (хотя при особом желании модуль все-таки можно извлечь бесследно).
Присутствует этикетка, обещающая использование только оригинальных микросхем американской компании Micron, пожизненную гарантию и высочайшее качество.
Сюрпризом стало обнаружение 30 нм микросхем Micron A-die емкостью 4 Гбит – если не ошибаюсь, это первая массовая память Micron стандарта DDR4.
Модули выполнены на восьмислойной печатной плате ревизии A1. В SPD записаны профили, соответствующие стандартам JEDEC: 1333, 1600, 1866 МГц (тайминги 13-13-13-30) и 2133 (15-15-15-35). Номинальная частота 2133 МГц. Напряжение – 1.2 В. Дата сборки – 37-я неделя 2017 года. Дамп SPD: ссылка.
Разгон фактически отсутствует: поднятие напряжения до отметки 1.4 В позволяет добиться стабильной работы на частоте 2400 МГц, на этом все удовольствие заканчивается.
Здесь микросхемы DRAM слегка посовременнее: 25 нм Micron A-die и емкость одного кристалла 8 Гбит. Строение модуля – по-прежнему двухранг.
Модули выполнены на восьмислойной печатной плате. В SPD записаны профили, соответствующие стандартам JEDEC: 1333, 1600, 1866 МГц (тайминги 13-13-13-31) и 2133 (15-15-15-36). Номинальная частота 2133 МГц. Дата сборки – 40-я неделя 2017 года. Дамп SPD: ссылка.
Более свежие микросхемы способны на разгон:
При напряжении 1.3 В удалось добиться целых 2667 МГц с таймингами 16-16-16. Любые попытки повысить частоту или хотя бы снизить задержки заканчивались провалом.
Большинство пользователей привыкло определять количество рангов по внешнему виду модуля: микросхемы DRAM с одной стороны – модуль одноранговый, с обеих – двухранговый. Но на деле это не совсем правильно: односторонний модуль тоже может быть двухранговым. И наглядный пример перед нами.
Тоже 25 нм Micron A-die и двухранговое строение на восьмислойной печатной плате. В SPD записаны профили, соответствующие стандартам JEDEC: 1333, 1600, 1866 и 2133 МГц. Именно 2133 МГц вкупе с формулой таймингов 15-15-15-36 является номинальным режимом работы. Дата сборки – 37-я неделя 2017 года. Дамп SPD: ссылка.
Разгон? Ага, сейчас… Никакого: модули памяти даже на 2400 МГц заводятся с трудом.
А вот подвезли и текстолит черного цвета. Одна беда: кроме услаждения эстетических чувств отдельных пользователей это нам ничего не дало. Все верно, перед нами опять древние 30 нм микросхемы Micron A-die емкостью 4 Гбит. Но – уже одноранговое строение.
Модули выполнены на восьмислойной печатной плате ревизии B1. В SPD записаны профили, соответствующие стандартам JEDEC, наиболее быстрый из которых – 2400 МГц с таймингами 17-17-17-39 при напряжении 1.2 В. С заводского конвейера планки сошли совсем недавно – на 18-й неделе 2018 года. Дамп SPD: ссылка.
Относительно разгона говорить как-то неудобно: модули не смогли осилить и 2533 МГц, небольшое снижение таймингов до 16-16-16 при условии поднятия напряжения до 1.35 В – верхняя планка возможностей.
Черный текстолит. Микросхемы DRAM – 25 нм Micron A-die 8 Гбит. Строение модуля – одноранговое. При прочих равных двухранговые модули памяти слегка быстрее одноранговых, а здесь производитель при более высокой частоте переходит на одноранговое строение, тем самым «отбирая» часть прибавки от увеличения частоты.
Модули выполнены на восьмислойной печатной плате. В SPD записаны профили, соответствующие стандартам JEDEC: 1333, 1600, 1866, 2133 и 2400 МГц. Последний с таймингами 17-17-17-39 и напряжением 1.2 В является номинальным режимом работы модулей. Неожиданно обнаружился программный мониторинг температур. Дата сборки – 17-я неделя 2017 года. Дамп SPD: ссылка.
И разгон тут есть:
При напряжении 1.3 В модули согласились работать на частоте 2800 МГц с таймингами 18-18-18. Результат класса «Так себе».
Кстати говоря, микросхемы Micron C9BGN уже попадались на страницах нашего портала: год назад мною тестировались модули памяти DDR4-2133 Crucial CT8G4DFS8213, и полученные на них результаты были близки к нынешнему – 2800-2900 МГц при таймингах 17-17-17. Только один модуль с совсем неадекватными 19-19-19 и завышенным до 1.45 В напряжением смог добраться до 3200 МГц. Так что не с AFOX здесь спрос.
Снова «скрытый двухранг»: микросхемы памяти только с одной стороны, однако сам модуль двухранговый.
25 нм Micron A-die и двухранговое строение на восьмислойной печатной плате. В SPD записаны профили, соответствующие стандартам JEDEC: 1333, 1600, 1866, 2133 и 2400 МГц. Последнее значение частоты, в связке с таймингами 17-17-17-40 и напряжением 1.2 В, является номинальным режимом работы модулей. Дата сборки – 27-я неделя 2017 года. Дамп SPD: ссылка.
Разгон? Да нет его…
Когда достигалась договоренность о тестировании, то я, наивный, ожидал увидеть новые 18 нм Micron H-die, однако реальность оказалась совсем суровой…
Протестированные модули AFOX могут похвастать лишь использованием оригинальных микросхем Micron, отсутствием XMP и индивидуальной упаковкой каждого экземпляра. А также отменной совместимостью: в сумме мною было перебрано несколько десятков различных конфигураций из процессоров AMD (Bristol Ridge, Summit Ridge, Raven Ridge и Pinnacle Ridge), Intel (Skylake, Kaby Lake и Coffee Lake) и материнских плат для них (AMD B350, X370, X470 и Intel Z170, Z270, Z370, H360) – и нигде не возникло каких-либо проблем. Даже капризный Bristol Ridge работал с двухранговыми модулями DDR4-2400 без нареканий.
Этакий аналог OEM-планок Micron под ее торговыми марками Micron и Crucial: стабильная работа на штатных частотах, отличная совместимость и никакого разгона. Для энтузиастов и пользователей, нацеленных на эксперименты с системой, данные модули AFOX не представляют интереса – с таким «разгоном» в приличном обществе не появляются.
