Обзор и тестирование комплекта оперативной памяти DDR4-3200 G.Skill TridentZ (F4-3200C16D-16GTZB) объемом 2 х 8 Гбайт

Высокоскоростные модули не так часто привлекают рядовых потребителей: во-первых, это недешевое удовольствие, во-вторых, считается, что можно самостоятельно разогнать доступные модели. Но отборные микросхемы неся «заурядную» маркировку, обладают более высоким потенциалом, чем в среднем по партии.
5 марта 2016, суббота 06:00
I.N. для раздела Лаборатория

Оглавление

Вступление

Высокоскоростные модули оперативной памяти не так часто привлекают рядовых потребителей: во-первых, это довольно недешевое удовольствие, во-вторых, считается, что разогнать можно и доступные модели самостоятельно из-за того, что микросхемы памяти используются те же.

Это правда: высокочастотные модули стоят дороже своих менее скоростных «сотоварищей». И причина этого не только маркетинговая: в процессе производства таких модулей памяти производится усиленный отбор микросхем DRAM и осуществляются дополнительные тесты. Именно в этой особенности кроется тонкость, которая может быть аргументом против второго утверждения: отборные микросхемы на то и отборные, что неся на себе «заурядную» маркировку, обладают более высоким частотным потенциалом, чем в среднем по партии.

Мало того, может статься и так, что фактический порог таких модулей памяти по частоте на самом деле находится выше того, на который нацелен производитель, осуществляющий отбор. Во всяком случае, шанс встретить такие удачные экземпляры больше, чем в «остатках» после отбора. Помимо этого, в производстве высокоскоростных модулей памяти могут использоваться и специальные серии микросхем DRAM, изначально произведенные с расчетом на работу на высоких частотах, которые если и попадаются в рядовых модулях «по рубль за килограмм», то в исключительных случаях.

При поддержке со стороны нашего постоянного партнера – компании Регард, мы попробуем подтвердить или опровергнуть высказанные предположения на примере комплекта оперативной памяти G.Skill TridentZ DDR4-3200 объемом 2 х 8 Гбайт (F4-3200C16D-16GTZB).
Обзор и тестирование комплекта оперативной памяти DDR4-3000 Kingston HyperX Savage (HX430C15SBK2/16) объемом 2 х 8 Гбайт


3000 МГц – частота для DDR4 немалая, но нам все равно интересен ответ на вопрос, есть ли в данных модулях потенциал для дальнейшего разгона?

G.Skill TridentZ

Компания G.Skill может похвастать довольно скромным ассортиментом выпускаемой продукции: коврики для мышей, сами мыши, клавиатуры, оперативная память и накопители на NAND-памяти («флешки» и SSD). И практически все они ориентированы на игроков и энтузиастов.

Относительно ковриков и прочей периферии у меня нет данных, тогда как относительно USB-флешек, карт памяти, SSD и оперативной памяти можно сказать совершенно точно: для них G.Skill использует микросхемы NAND и DRAM сторонних производителей и является лишь сборщиком, но сборщиком каким! Основной упор при выпуске оперативной памяти компания делает на решения оверклокерского класса, работающие на повышенных частотах, и комплекты, предназначенные под разгон. Хотя в ассортименте присутствует и линейка оперативной памяти начального уровня – Value RAM.

Если честно, G.Skill уже стоит задуматься над приведением своего ассортимента в порядок, ибо сейчас на общей странице официального сайта компании, посвященной оперативной памяти, перечисляются наименования шестнадцати различных семейств.

Ранее из памяти типа DDR4, выпущенной G.Skill, мы протестировали комплект G.Skill Ripjaws 4 F4-3000C15Q-16GRR, теперь же подошла очередь G.Skill TridentZ.

G.Skill TridentZ – это обширное семейство DDR4 как по количеству модификаций, так и по вариациям комплектов: от двух до четырех модулей объемом от 4 до 16 Гбайт, с примерно полутора десятками вариантов таймингов, напряжениями от 1.25 до 1.40 В и частотами от 2800 до 4266 МГц.

На фоне последних рассматриваемый комплект не является самым продвинутым – его частота «всего лишь» 3200 МГц и состоит он из двух модулей по 8 Гбайт каждый.

Упаковка и комплектация

Комплект G.Skill TridentZ (F4-3200C16D-16GTZB) поставляется в плоской картонной коробке, защищенной от вскрытия специальными заводскими пломбами.

Из-за того, что упаковка непрозрачная и сами модули без ее вскрытия увидеть невозможно, на ней с обратной стороны размещена отдельная этикетка, сообщающая серийные номера вложенных планок. На другой этикетке указаны их объем, основные тайминги, частота и напряжение.

Внутрь коробки вложен пластиковый блистер, в котором зафиксированы сами модули памяти. В комплекте с ними идет лишь гарантийная карточка и декоративная наклейка с логотипом G.Skill для передней панели корпуса системного блока.

Дизайн и особенности модулей памяти

Внешне модули смотрятся очень солидно: стильные алюминиевые радиаторы с покрытием «под фрезу», да и по ощущениям масса несколько больше.

Но вся солидность исчезает после практического знакомства с творением инженеров G.Skill. Во-первых, радиаторы настолько массивны, что два установленных в соседние слоты модуля могут конфликтовать между собой.

Кто там приценивался к возможности приобретения двух (LGA 1151) или четырех (LGA 2011-3) комплектов рассматриваемой памяти? Если присмотреться к фотографии более внимательно, можно увидеть, что для установки модулей в соседние слоты пришлось пойти на небольшой перекос этих самых слотов: планка правее слегка отклоняется от центральной оси. Четыре модуля будут буквально «торчать веером».

Экстремальная память – экстремальная эксплуатация?

Во-вторых, с системами охлаждения процессора приобретателю данной памяти также придется быть настороже: 44 мм в высоту – это хоть и не катастрофа, но уже не столь хорошо.

К примеру, в случае Thermalright True Spirit 140 пластиковый корпус вентилятора упирается в радиатор модуля ОЗУ.

Thermalright Silver Arrow SB-E: нижние ребра теплорассеивателя кулера оказываются ниже уровня радиатора модуля, установленного в первый слот, и упираются в него.

Схожая картина и с другими системами охлаждения. Похоже, инженеры G.Skill при разработке TridentZ в первую очередь ориентировались на обладателей систем жидкостного охлаждения («водянок»). В принципе, некоторая логика в этом присутствует: имиджевые и оверклокерские системы собираются именно с ними. Но все же доля ПК с воздушными СО куда больше.

Каждый из модулей снабжен специальной этикеткой, благодаря которой можно узнать целый набор различной информации.

Здесь присутствует маркировка, серийный номер, указание на тип комплекта («8Gx2»), напряжение, формула таймингов (привет компании Kingston, оперативную память которой мы недавно тестировали: там тайминги не указываются).

Конструкция радиаторов довольно специфична. По ряду проб конструкция приклеена к микросхемам DRAM очень хорошо, ее снятие несет большой риск для целостности модулей и, похоже, половинки радиаторов еще дополнительно сцепляются элементом красного цвета.

Поэтому пришлось ограничиться только внешним осмотром. К счастью, инженеры G.Skill не стали увлекаться секретностью и в микросхемы SPD прописана информация о DRAM – это Samsung K4A4G085WE-BCPB.

Информация, предоставляемая Thaiphoon Burner.

Согласно документации производителя, эти микросхемы изначально рассчитаны на работу в режиме с эффективной частотой 2133 МГц при напряжении 1.2 В и таймингах 15-15-15. Налицо факт значительного заводского разгона, осуществленного G.Skill.

Кроме того, присутствует температурный датчик, опознаваемый программами как Giantec GT34TS04. Его показания можно считывать различными утилитами, например, AIDA64:

В целом наблюдаемые цифры совпадают с замерами посредством пирометра, поэтому данной функциональности можно верить. Хотя, с другой стороны, даже самыми интенсивными тестами не удалось достичь температур выше 35-37°C, поэтому уделять особое внимание наличию термодатчика нет смысла.

Отчеты CPU-Z и AIDA64.

Обратите внимание на то, как «хорошо» работает AIDA64: периодически один из модулей не опознается программой полноценно, хотя термомониторинг сохраняется и содержимое профилей SPD отображается.

В довершение осмотра – дамп содержимого микросхемы SPD (снято посредством Thaiphoon Burner).

Тестовый стенд

Используемый тестовый стенд собирался из следующих комплектующих:

  • Материнская плата: ASRock Z170 Extreme6 (BIOS L1.82, экземпляр из этого обзора);
  • Процессор: Intel Core i5-6600K 3500 МГц;
  • Система охлаждения: Thermalright Silver Arrow SB-E с одним вентилятором Thermalright TY-143;
  • Термоинтерфейс: Arctic Cooling MX-2;
  • Оперативная память: DDR4-3200 G.Skill TridentZ 2 х 8 Гбайт (16-18-18-38, 1.35 В);
  • Видеокарта: MSI GeForce GTX 970 Gaming 4G (обзор, экземпляр не из этого обзора);
  • Блок питания: Corsair HX750W 750 Ватт (отдельно не тестировался; незначительно доработан по элементной базе);
  • Системный накопитель: Samsung SM951 256 Гбайт (Samsung UBX + 16 нм MLC ToggleNAND Samsung, BXW2500Q; из этого обзора);
  • Корпус: открытый стенд.

Методика тестирования

Для проведения тестов используется материнская плата ASRock Z170 Extreme6, которую мы совсем недавно рассматривали.

К сожалению, плата не лишена недостатков: тайминги tRCD и tRP можно устанавливать только одинаковыми – в BIOS управление ими осуществляется посредством одного общего параметра. Тайминг tRAS и вовсе ограничен минимальным значением 28 (к примеру, некоторые системные платы допускают снижение до 10-14).

Это заметно ограничивает широту экспериментов с разгоном, ведь для некоторых типов микросхем оптимальными являются формулы неравных таймингов вроде «х + (х+1) + (х+2)». Верхняя планка напряжения оперативной памяти в рамках тестов установлена нами равной 1.40 В в связи с неясностью относительно безопасности высоких значений для встроенного контроллера памяти процессора.

Тестирование стабильности проводится в среде операционной системы Windows 10 x64 Домашняя с помощью Prime95 версии 28.7 в редакции 64-bit в течение 20 минут. Запуск осуществляется в режиме «Custom» с ручным указанием занимаемого объема памяти. Операционная система Windows 10 на тестовом стенде была обновлена: текущей сборкой на момент написания данного обзора была 10586.122.

Подобные настройки подбираются для того, чтобы проверка стабильности работы была наиболее полной – по всему объему модуля памяти. И это приводит к постоянным сообщениям операционной системы о недостатке свободного пространства. Файл подкачки отключен.

Сами модули памяти устанавливались в систему поодиночке: для минимизации факторов, ограничивающих разгон (оптимизация микрокода BIOS материнской платы, индивидуальные ограничения контроллера памяти конкретного экземпляра ЦП). Частоты процессорных ядер и CPU Ring фиксировались на штатных величинах. Напряжение CPU VCCSA устанавливалось равным 1.2 В, напряжение CPU VCCIO устанавливалось равным 1.1 В.

Из-за использования оверклокерского комплекта памяти повышенной частоты в тестах на частотах выше 3333 МГц напряжение CPU VCCIO поднималось до 1.2 В. По всей видимости, здесь накладывалось ограничение используемого экземпляра i5-6600K, его встроенного контроллера памяти. Что интересно, повышение CPU VCCIO до 1.25 В не приносило дополнительного прироста частотного потенциала. Напомним, что напряжение CPU VCCIO, равное 1.2 В и выше, при отсутствии должного охлаждения CPU, может привести к необратимым повреждениям контроллера памяти процессора.

Тестирование разгонного потенциала

  • Модуль с серийным номером 500438875.

  • Модуль с серийным номером 500438876.

Разгон модулей оказался настолько интересным и неожиданным, что я не удержался от более подробных, нежели обычно, тестов: их вдвое больше.

Картина выстроилась весьма любопытная. Во-первых, микросхемы Samsung K4A4G085WE-BCPB очень «любят» повышение таймингов tRCD и tRP (или одного из них) на две единицы. Во-вторых, разгонный потенциал просто отличный: 3466 МГц и 3488 МГц – результат весьма незаурядный. Из примерно двух десятков побывавших у меня образцов, учитывая не только «статейные», это самые лучшие показатели, до этого лучшим был результат в 3280 МГц у одного из четырех модулей Kingston HyperX Fury DDR4-2400.

А теперь о печальном: перед нами два модуля с идущими подряд серийными номерами, но разгонный потенциал на невысоких таймингах и напряжении отличается весьма заметно – разница доходит до 200 МГц. К счастью, чем выше мы забираемся в разгоне, тем меньше становится отличий, но и тут не обошлось без неприятного сюрприза: второй модуль не смог дойти до 3488 МГц. Зато оба они не только по отдельности, но и вместе работали на частоте 3466 МГц, прекрасно проходя тесты.

Онлайн-валидация CPU-Z.

Еще раз отметим: напряжение CPU VCCIO пришлось поднять до 1.2 В.

Заключение

Если вкратце, последние два месяца мне было совсем не до написания обзоров и данный материал является попыткой вернуться к своему излюбленному занятию – экспериментам с разгоном. Берясь за него, я в голове держал мысли о том, что это будет очередной «блин комом»: имиджевый комплект памяти, из которого производителем «выжато» все, что можно – на такое шансов в современном мире, увы, куда больше.

Однако комплект оперативной памяти G.Skill TridentZ DDR4-3200 быстро погасил подобные настроения: его разгонный потенциал оказался на высоте. Несмотря на то, что частота уже изначально не маленькая, мне удалось добиться еще лучших показателей, причем не только по частоте, но и по таймингам.

Омрачить радость может только пара факторов:

  • Высота радиаторов, которая приводит к конфликтам с массивными системами охлаждения процессора;
  • Рассматриваемый комплект стоит примерно в полтора-два раза дороже, чем комплекты аналогичного объема DDR4-2400.

I.N.


Выражаем благодарность:

  • Компании Регард за предоставленный для проведения тестов процессор Intel Core i5-6600K;
  • Компании ASRock за предоставленную на тестирование материнскую плату ASRock Z170 Extreme6;
  • Компании G.Skill за предоставленный на тестирование комплект оперативной памяти G.Skill TridentZ DDR4-3200.