Южнокорейская компания SK Hynix сообщила о покорении нового технологического рубежа. Ею освоен выпуск 16-гигабитных микросхем DDR4 с использованием технологии класса «1z нм», но без применения EUV-литографии. Теперь корейский производитель располагает самыми ёмкими микросхемами этого типа. Прогресс в этой сфере позволяет не только выпускать более ёмкие модули памяти, но и делать память дешевле. С одной кремниевой пластины SK Hynix получает на 27% больше микросхем, чем при помощи технологии класса «1y нм». Энергопотребление удалось снизить на 40%.

В производстве памяти используются буквенные наращения к обозначению версии техпроцесса. Так, технология класса «1z нм» ближе всего к 10-нм техпроцессу. Micron подобный рубеж покорил в августе этого года. SK Hynix поставки соответствующей памяти начнёт в следующем году. В дальнейшем данная технология будет применяться для выпуска памяти типа LPDDR5 и HBM3. Последнее обозначение выглядит провокационным, поскольку принято считать, что память типа HBM третьего поколения называют «HBM2E».