Память типа HBM3 будет выпускаться в эпоху 7-нм техпроцесса

7 декабря 2017, четверг 08:16

Samsung и SK Hynix уже признались, что готовы заняться разработкой памяти типа HBM3, хотя её появление может и не означать повсеместного применения в сегменте графических решений. Ускорителям вычислений быстрая память, расположенная рядом с вычислительными ядрами, тоже очень нужна. Коллеги с сайта ComputerBase.de сообщают, что компания Rambus готова помогать клиентам в разработке не только HBM3, но и DDR5, причём у памяти последнего типа есть шансы появиться на рынке даже раньше.

Источник изображения: Rambus, ComputerBase

Массовый выпуск микросхем DDR5 начнётся не ранее 2020 года, а в этом десятилетии нас ждёт сертификация и утверждение стандарта нового типа памяти. Выпускать микросхемы типа DDR5, скорее всего, параллельно с 7-нм продуктами – но не факт, что именно по такому техпроцессу.

Источник изображения: Rambus, ComputerBase

Память типа HBM3 тоже находится в разработке. Она позволит удвоить пропускную способность, а ранее сообщалось, что и в производстве она будет дешевле предшественницы. Как и в случае с DDR5, появления микросхем HBM3 в составе готовых продуктов следует ожидать не ранее 2020 года, когда будет освоен выпуск 7-нм изделий.

Оценитe материал

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают