На слуху многослойная флэш-память NAND-типа с 32-48 рабочими слоями. Все слои насквозь пронизывают сквозные соединения типа TSVs. Фактически — это заполненные металлом каналы, проводники. Но в случае 3D NAND ячейки памяти формируются непосредственно вокруг каналов металлизации. Попросту говоря, TSVs — это неотъемлемая часть ячеек памяти. Между тем тип соединений TSVs начал использоваться задолго до появления многослойной памяти.
Первой на практике для сборки многокристальных упаковок метод сквозных каналов металлизации начала использовать компания Samsung. В 2007 году производитель представил многочиповую стековую компоновку из четырёх 64-Мбайт кристаллов DDR2, собранных методом TSVs. До этого момента стеки из кристаллов до 20 штук собирались с использованием внешней проводной обвязки. Это требовало значительной свободной площади вокруг рабочего кристалла, а также заметно увеличивало рабочие токи, поскольку длины соединительных проводников увеличивались.
Компания Toshiba, как сообщает нам пресс-релиз этого производителя, не собирается расставаться с многокристальной стековой упаковкой с использованием TSVs даже в свете перехода к многослойной 3D NAND. Японский производитель представил 8- и 16-кристальные сборки, собранные с использованием TSVs-соединений. В данном случае каналы TSVs — это просто проводники, не участвующие в организации ячеек памяти. Однако такой подход, как сказано выше, позволяет максимально уменьшить площадь каждого кристалла в сетке и снизить токовую нагрузку. По словам Toshiba, при выполнении операций чтения/записи потребление памяти снижено до 50%.
Демонстрация разработки состоится 11 августа на мероприятии Flash Memory Summit 2015. Компания подготовила два образца: 8-уровневую 128-Гбайт микросхему и 16-уровневую 256-Гбайт. Данная память из-за своего высокого быстродействия будет использоваться в SSD корпоративного класса. Скорость обмена по интерфейсу у сборок может превышать 1 Гбит/с. Заявленный интерфейс — Toggle DDR.
